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摘 要:本发明公开了一种基于机械剥离的毫米级可转移LED器件及其制备方法,该器件包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的n‑GaN层、与所述n‑GaN层相连的n‑GaN臂、与所述n‑GaN臂相连的p‑n结量子阱器件。本发明采用传统的半导体加工工艺首次实现了基于机械剥离的毫米级可转移LED器件,该器件可用于通信、照明、显示以及传感领域。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201710311776.9 | 专利名称: | 基于机械剥离的毫米级可转移LED器件及其制备方法 |
申请日: | 2017-05-05 | 申请/专利权人 | 南京邮电大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省南京市新模范马路66号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L33/00搜分类 纳米材料搜索 |
公开/公告日: | 2019-03-29 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN107195733B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |