一种台面二极管

著 录 项 目：

应用场景：电力电子设备中的整流或保护电路;高频开关电源模块;工业自动化控制系统的过压保护

摘     要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种耐高压应用的台面二极管，包括电极、具有主沟槽的台面结构、覆盖在所述主沟槽的表面的钝化层，所述电极包括阴极和阳极，所述台面结构的PN结至少部分裸露于所述主沟槽的表面；其特征在于：所述台面结构还包括副沟槽，所述副沟槽设于所述主沟槽和所述阳极之间，所述钝化层由所述主沟槽的表面延伸至所述副沟槽的表面并且覆盖所述副沟槽的表面。通过采用双沟槽结构和阻断部设计，提高了台面二极管的特性和可靠性，特别是在高压应用场合下。由于采用了双沟槽结构，对沟槽的形貌的技术要求可以进一步放宽，便于大规模制造。

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期	法律信息	备注
  2024/06/07	专利申请权的转移	登记生效日: 2024.05.23 申请人由长沙赢睿知识产权运营有限公司变更为南京涟沫动漫文化传播有限公司 国家或地区由中国变更为中国 地址由410000 湖南省长沙市芙蓉区荷花园街道远大一路582号东方芙蓉园1、2、3栋2226变更为211200 江苏省南京市溧水区永阳街道秦淮大道288号幸庄科技产业园C栋2004-49室
  2024/02/20	专利申请权的转移	登记生效日: 2024.02.01 申请人由四川洪芯微科技有限公司变更为长沙赢睿知识产权运营有限公司 国家或地区由中国变更为中国 地址由629200 四川省遂宁市射洪县经济开发区河东大道变更为410000 湖南省长沙市芙蓉区荷花园街道远大一路582号东方芙蓉园1、2、3栋2226
  2024/06/25	授权
  2017/02/08	实质审查的生效	IPC(主分类): H01L 29/861 专利申请号: 201610960522.5 申请日: 2016.11.04
  2017/01/11	公开

• 申请号	专利名称	发布日期
  2021110612659	【发明】一种衬底集成反并联续流二极管的RC-LIGBT器件	2025/09/23
  2021109149327	【发明】一种异质结注入的沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管	2025/09/23
  2021108120478	【发明】一种N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管	2025/09/23
  2021103625508	【发明】一种具有电子积累效应的鳍式EAFin-LDMOS器件	2025/09/23
  2020114078613	【发明】一种具有体内导电沟道的薄层SOI-LDMOS器件	2025/09/23
  2020107313214	【发明】一种具有背面双MOS结构的快速关断RC-IGBT器件	2025/09/23
  2021104724731	【发明】一种支持孤波传导的模拟神经纤维的PN微米线	2025/09/09
  2016109715507	【发明】具有低泄漏电流的无结折叠I形栅场效应晶体管	2025/09/08
  2022222673189	【实用新型】一种贴片型三极管	2025/09/05
  202111222870X	【发明】一种开路电压连续可调的肖特基结及其制备和应用	2025/08/12