发明专利已授权

一种提高UIS雪崩耐量的MOSFET及其制备方法

📄 申请号：CN201810447829.4 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2018-05-11

公开号

CN108649064A

公开日

2018-10-12

申请人

安徽工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_06

IPC 分类号

H01L29_06 , H01L29_78 , H01L21_336 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件功率半导体半导体工艺

应用场景

电源转换, 新能源汽车, 工业自动化, 消费电子, 电力电子

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摘要

本发明公开了一种提高UIS雪崩耐量的MOSFET及其制备方法，属于高压电力电子技术领域。包括第二导电类型掺杂的源区、第一导电类型掺杂的基区和半绝缘区，第二导电类型掺杂的源区位于半绝缘区顶部，第一导电类型掺杂的基区位于第二导电类型掺杂的源区和半绝缘区一侧。半绝缘区是先采用离子注入第二导电类型的杂质实现反掺杂形成电中性层，然后依靠离子注入两性杂质元素形成半绝缘区。在没有影响到MOSFET阈值电压、通态电阻等关键参数的基础上，通过减小MOSFET寄生晶体管存在的区域，针对现有技术中MOSFET的雪崩击穿耐量低的问题，它可以大幅提高MOSFET雪崩耐量、鲁棒性、抵御大电流能力、击穿电压和可靠性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20210316

✅ 授权

20181106

?? 实质审查的生效：

20181012

📄 公开

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：11 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

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