专利名称：含半绝缘区的MOSFET及其制备方法      申请号：2018104473680     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：高压电力电子技术   相似专利 发布日：2025/07/09  
摘要： 本发明公开了含半绝缘区的MOSFET及其制备方法，属于高压电力电子技术领域。半绝缘区位于并排设置的第一导电类型半导体掺杂的基区和第二导电类型半导体掺杂的源区的下方，半绝缘区的底部和侧面均与第二导电类型半导体掺杂的漂移层接触。半绝缘区是先采用离子注入第二导电类型的杂质实现反掺杂形成电中性层，然后依靠离子注入两性杂质元素形成半绝缘区域，浅基区是在半绝缘区域上方依靠离子注入第一导电类型的杂质形成。通过减小MOSFET寄生晶体管存在的区域，解决UIS条件下常规MOSFET寄生晶体管开启所带来的电流失控而引起的“热奔”问题，能显著提高雪崩耐量、鲁棒性、抵御大电流能力、击穿电压和可靠性。

专利名称：一种提高UIS雪崩耐量的MOSFET及其制备方法      申请号：2018104478294     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：高压电力电子技术   相似专利 发布日：2025/07/09  
摘要： 本发明公开了一种提高UIS雪崩耐量的MOSFET及其制备方法，属于高压电力电子技术领域。包括第二导电类型掺杂的源区、第一导电类型掺杂的基区和半绝缘区，第二导电类型掺杂的源区位于半绝缘区顶部，第一导电类型掺杂的基区位于第二导电类型掺杂的源区和半绝缘区一侧。半绝缘区是先采用离子注入第二导电类型的杂质实现反掺杂形成电中性层，然后依靠离子注入两性杂质元素形成半绝缘区。在没有影响到MOSFET阈值电压、通态电阻等关键参数的基础上，通过减小MOSFET寄生晶体管存在的区域，针对现有技术中MOSFET的雪崩击穿耐量低的问题，它可以大幅提高MOSFET雪崩耐量、鲁棒性、抵御大电流能力、击穿电压和可靠性。

专利名称：一种含半绝缘区的槽栅功率MOS晶体管及其制备方法      申请号：2018104473854     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：高压电力电子技术   相似专利 发布日：2025/07/09  
摘要： 本发明公开了一种含半绝缘区的槽栅功率MOS晶体管及其制备方法，属于高压电力电子技术领域。一种含半绝缘区的槽栅功率MOS晶体管，包括第二导电类型掺杂的源区、第一导电类型掺杂的基区和半绝缘区，第二导电类型掺杂的源区位于并排设置的第一导电类型掺杂的基区和半绝缘区上方，半绝缘区的底部与第二导电类型半导体掺杂的漂移层接触。半绝缘区是先采用离子注入第二导电类型的杂质实现反掺杂形成电中性层，然后依靠离子注入两性杂质元素形成半绝缘区。针对现有技术中槽栅功率MOS晶体管的UIS雪崩耐量低的问题，本发明能显著提高槽栅功率MOS晶体管的UIS雪崩耐量和鲁棒性，提高槽栅功率MOS晶体管抵御大电流能力，提高槽栅功率MOS晶体管的可靠性，并适当提高槽栅功率MOS晶体管的击穿电压。

专利名称：一种提高短路鲁棒性的IGBT及其制备方法      申请号：2018104475898     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：高压电力电子技术   相似专利 发布日：2025/07/09  
摘要： 本发明公开了一种提高短路鲁棒性的IGBT及其制备方法，属于高压电力电子技术领域。包括第二导电类型掺杂的发射区、第一导电类型掺杂的基区和半绝缘区，第二导电类型掺杂的发射区位于半绝缘区顶部，第一导电类型掺杂的基区位于第二导电类型掺杂的发射区和半绝缘区一侧。半绝缘区是先采用离子注入第二导电类型的杂质实现反掺杂形成电中性层，然后依靠离子注入两性杂质元素形成半绝缘区。通过减小IGBT寄生晶体管存在的区域，解决短路条件下常规IGBT寄生晶体管开启所带来的电流失控而引起的“热奔”问题，能显著提高IGBT在短路状态下的鲁棒性，增强IGBT的短路抵御时间和临界短路能量，并适当提高IGBT的击穿电压。

专利名称：含半绝缘区的IGBT及其制备方法      申请号：201810447426X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：高压电力电子技术   相似专利 发布日：2025/07/09  
摘要： 本发明公开了含半绝缘区的IGBT及其制备方法，属于高压电力电子技术领域。含半绝缘区的IGBT，半绝缘区位于并排设置的第一导电类型半导体掺杂的基区和第二导电类型半导体掺杂的发射区的下方，半绝缘区的底部和侧面均与第二导电类型半导体掺杂的漂移层接触。半绝缘区是先采用离子注入第二导电类型的杂质实现反掺杂形成电中性层，然后依靠离子注入两性杂质元素形成半绝缘区域，浅基区是在半绝缘区域上方依靠离子注入第一导电类型的杂质形成。针对现有技术中IGBT短路时失效快的问题，本发明提出含半绝缘区的IGBT及其制备方法。它可以大幅提高IGBT的短路生存时间，大幅提高其鲁棒性，大幅提高IGBT变换器装置的可靠性。