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| 专利/申请号： | CN201810447385.4 | 专利名称： | 一种含半绝缘区的槽栅功率MOS晶体管及其制备方法 |
| 申请日： | 2018-05-11 | 申请/专利权人 | 安徽工业大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 安徽省马鞍山市花山区湖东中路59号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L29/06 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2021-02-26 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN108682684B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 16 | 所属领域： | 高压电力电子技术专利转让搜索 |
摘 要：本发明公开了一种含半绝缘区的槽栅功率MOS晶体管及其制备方法，属于高压电力电子技术领域。一种含半绝缘区的槽栅功率MOS晶体管，包括第二导电类型掺杂的源区、第一导电类型掺杂的基区和半绝缘区，第二导电类型掺杂的源区位于并排设置的第一导电类型掺杂的基区和半绝缘区上方，半绝缘区的底部与第二导电类型半导体掺杂的漂移层接触。半绝缘区是先采用离子注入第二导电类型的杂质实现反掺杂形成电中性层，然后依靠离子注入两性杂质元素形成半绝缘区。针对现有技术中槽栅功率MOS晶体管的UIS雪崩耐量低的问题，本发明能显著提高槽栅功率MOS晶体管的UIS雪崩耐量和鲁棒性，提高槽栅功率MOS晶体管抵御大电流能力，提高槽栅功率MOS晶体管的可靠性，并适当提高槽栅功率MOS晶体管的击穿电压。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2021/02/26 | 授权 | |
| 2018/11/13 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 29/06 专利申请号: 201810447385.4 申请日: 2018.05.11 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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