一种含半绝缘区的槽栅功率MOS晶体管及其制备方法

摘     要：本发明公开了一种含半绝缘区的槽栅功率MOS晶体管及其制备方法，属于高压电力电子技术领域。一种含半绝缘区的槽栅功率MOS晶体管，包括第二导电类型掺杂的源区、第一导电类型掺杂的基区和半绝缘区，第二导电类型掺杂的源区位于并排设置的第一导电类型掺杂的基区和半绝缘区上方，半绝缘区的底部与第二导电类型半导体掺杂的漂移层接触。半绝缘区是先采用离子注入第二导电类型的杂质实现反掺杂形成电中性层，然后依靠离子注入两性杂质元素形成半绝缘区。针对现有技术中槽栅功率MOS晶体管的UIS雪崩耐量低的问题，本发明能显著提高槽栅功率MOS晶体管的UIS雪崩耐量和鲁棒性，提高槽栅功率MOS晶体管抵御大电流能力，提高槽栅功率MOS晶体管的可靠性，并适当提高槽栅功率MOS晶体管的击穿电压。

著 录 项： 

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期

  法律信息

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