发明专利已授权

一种含半绝缘区的槽栅功率MOS晶体管及其制备方法

Name: 一种含半绝缘区的槽栅功率MOS晶体管及其制备方法
Brand: 安徽工业大学
SKU: 2018104473854
Availability: InStock

📄 申请号：CN201810447385.4 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2018-05-11

公开号

CN108682684B

公开日

2021-02-26

申请人

安徽工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_06

IPC 分类号

H01L29_06 , H01L29_417 , H01L29_78 , H01L21_265 , H01L21_28 , H01L21_336 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件 MOS晶体管半导体制造工艺

应用场景

电源管理, 电力电子, 新能源汽车, 工业控制, 集成电路

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摘要

本发明公开了一种含半绝缘区的槽栅功率MOS晶体管及其制备方法，属于高压电力电子技术领域。一种含半绝缘区的槽栅功率MOS晶体管，包括第二导电类型掺杂的源区、第一导电类型掺杂的基区和半绝缘区，第二导电类型掺杂的源区位于并排设置的第一导电类型掺杂的基区和半绝缘区上方，半绝缘区的底部与第二导电类型半导体掺杂的漂移层接触。半绝缘区是先采用离子注入第二导电类型的杂质实现反掺杂形成电中性层，然后依靠离子注入两性杂质元素形成半绝缘区。针对现有技术中槽栅功率MOS晶体管的UIS雪崩耐量低的问题，本发明能显著提高槽栅功率MOS晶体管的UIS雪崩耐量和鲁棒性，提高槽栅功率MOS晶体管抵御大电流能力，提高槽栅功率MOS晶体管的可靠性，并适当提高槽栅功率MOS晶体管的击穿电压。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20210226

✅ 授权

20181113

?? 实质审查的生效：

一种含Ti3AlC2的铜基活性复合钎料、制备方法及其钎焊方法

当前第 / 件

一种固废资源利用型防锈-阻燃-体质一体化颜填料及其制备方法

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