发明专利已授权

一种提高短路鲁棒性的IGBT及其制备方法

📄 申请号：CN201810447589.8 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2018-05-11

公开号

CN108417624B

公开日

2021-02-02

申请人

安徽工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_739

IPC 分类号

H01L29_739 , H01L21_331 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件绝缘栅双极晶体管半导体制造工艺

应用场景

电能转换, 逆变器, 新能源汽车, 轨道交通, 工业控制

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摘要

本发明公开了一种提高短路鲁棒性的IGBT及其制备方法，属于高压电力电子技术领域。包括第二导电类型掺杂的发射区、第一导电类型掺杂的基区和半绝缘区，第二导电类型掺杂的发射区位于半绝缘区顶部，第一导电类型掺杂的基区位于第二导电类型掺杂的发射区和半绝缘区一侧。半绝缘区是先采用离子注入第二导电类型的杂质实现反掺杂形成电中性层，然后依靠离子注入两性杂质元素形成半绝缘区。通过减小IGBT寄生晶体管存在的区域，解决短路条件下常规IGBT寄生晶体管开启所带来的电流失控而引起的“热奔”问题，能显著提高IGBT在短路状态下的鲁棒性，增强IGBT的短路抵御时间和临界短路能量，并适当提高IGBT的击穿电压。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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