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摘 要:本发明公开了一种提高短路鲁棒性的IGBT及其制备方法,属于高压电力电子技术领域。包括第二导电类型掺杂的发射区、第一导电类型掺杂的基区和半绝缘区,第二导电类型掺杂的发射区位于半绝缘区顶部,第一导电类型掺杂的基区位于第二导电类型掺杂的发射区和半绝缘区一侧。半绝缘区是先采用离子注入第二导电类型的杂质实现反掺杂形成电中性层,然后依靠离子注入两性杂质元素形成半绝缘区。通过减小IGBT寄生晶体管存在的区域,解决短路条件下常规IGBT寄生晶体管开启所带来的电流失控而引起的“热奔”问题,能显著提高IGBT在短路状态下的鲁棒性,增强IGBT的短路抵御时间和临界短路能量,并适当提高IGBT的击穿电压。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810447589.8 | 专利名称: | 一种提高短路鲁棒性的IGBT及其制备方法 |
申请日: | 2018-05-11 | 申请/专利权人 | 安徽工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 安徽省马鞍山市花山区湖东中路59号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L29/739搜分类 短路搜索 |
公开/公告日: | 2021-02-02 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN108417624B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |