咨询电话：13280638997
传真：0533-3110363
邮箱：kefu@shizifang.com
24小时咨询热线13280638997
24小时咨询热线著 录 项 目：
| 专利/申请号： | CN201610525827.3 | 专利名称： | 一种低功耗4H-SiC电压控制型功率半导体器件及其制备方法 |
| 申请日： | 2016-07-05 | 申请/专利权人 | 安徽工业大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 安徽省马鞍山市花山区湖东路59号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L29/78 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2019-09-24 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN105957898B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 22 | 所属领域： | 功率半导体技术专利转让搜索 |
摘 要：本发明公开了一种低功耗4H‑SiC电压控制型功率半导体器件及其制备方法，属于高压电力电子技术领域。包括外延层与氧化层，其特征在于，外延层表面下有一层氮注入层和三价元素的扩散层，氮注入层的厚度为18‑20nm，三价元素为铝，铝在外延层中的扩散深度为10‑20nm，采用高温扩散工艺将三价元素植入到4H‑SiC外延层，利用干法刻蚀工艺减薄高温工艺所生长的氧化层，采用离子注入工艺将五价元素氮植入到外延层与氧化层的界面，利用干氧氧化工艺将氧化层生长至所需要的厚度。该方法能降低4H‑SiC电压控制型功率半导体器件的开关损耗，同时能稳定4H‑SiC电压控制型功率半导体器件的阈值电压。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
| 2021110612659 | 【发明】一种衬底集成反并联续流二极管的RC-LIGBT器件 | 2025/09/23 |
| 2021109149327 | 【发明】一种异质结注入的沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管 | 2025/09/23 |
| 2021108120478 | 【发明】一种N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管 | 2025/09/23 |
| 2021103625508 | 【发明】一种具有电子积累效应的鳍式EAFin-LDMOS器件 | 2025/09/23 |
| 2020114078613 | 【发明】一种具有体内导电沟道的薄层SOI-LDMOS器件 | 2025/09/23 |
| 2020107313214 | 【发明】一种具有背面双MOS结构的快速关断RC-IGBT器件 | 2025/09/23 |
| 2021104724731 | 【发明】一种支持孤波传导的模拟神经纤维的PN微米线 | 2025/09/09 |
| 2016109715507 | 【发明】具有低泄漏电流的无结折叠I形栅场效应晶体管 | 2025/09/08 |
| 2022222673189 | 【实用新型】一种贴片型三极管 | 2025/09/05 |
| 202111222870X | 【发明】一种开路电压连续可调的肖特基结及其制备和应用 | 2025/08/12 |
