发明专利已授权

一种低功耗4H-SiC电压控制型功率半导体器件及其制备方法

📄 申请号：CN201610525827.3 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2016-07-05

公开号

CN105957898B

公开日

2019-09-24

申请人

安徽工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_78

IPC 分类号

H01L29_78 , H01L29_739 , H01L21_336 , H01L21_331 , H01L21_225 , H01L29_06 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件碳化硅半导体材料半导体器件制造工艺

应用场景

新能源汽车, 光伏逆变器, 智能电网, 工业变频器, 数据中心电源

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摘要

本发明公开了一种低功耗4H‑SiC电压控制型功率半导体器件及其制备方法，属于高压电力电子技术领域。包括外延层与氧化层，其特征在于，外延层表面下有一层氮注入层和三价元素的扩散层，氮注入层的厚度为18‑20nm，三价元素为铝，铝在外延层中的扩散深度为10‑20nm，采用高温扩散工艺将三价元素植入到4H‑SiC外延层，利用干法刻蚀工艺减薄高温工艺所生长的氧化层，采用离子注入工艺将五价元素氮植入到外延层与氧化层的界面，利用干氧氧化工艺将氧化层生长至所需要的厚度。该方法能降低4H‑SiC电压控制型功率半导体器件的开关损耗，同时能稳定4H‑SiC电压控制型功率半导体器件的阈值电压。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

低Al含量、高强韧性、耐酸腐蚀的高熵合金及其制备方法

当前第 / 件

一种多孔介质吸附分离钒渣中钒资源的方法

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_78)

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