功率半导体技术类专利转让_商标转让

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专利名称：一种低功耗4H-SiC电压控制型功率半导体器件及其制备方法申请号：2016105258273 转让价格：面议收藏
法律状态：已下证类型：发明关键词：功率半导体技术相似专利发布日：2025/07/09
摘要：本发明公开了一种低功耗4H‑SiC电压控制型功率半导体器件及其制备方法，属于高压电力电子技术领域。包括外延层与氧化层，其特征在于，外延层表面下有一层氮注入层和三价元素的扩散层，氮注入层的厚度为18‑20nm，三价元素为铝，铝在外延层中的扩散深度为10‑20nm，采用高温扩散工艺将三价元素植入到4H‑SiC外延层，利用干法刻蚀工艺减薄高温工艺所生长的氧化层，采用离子注入工艺将五价元素氮植入到外延层与氧化层的界面，利用干氧氧化工艺将氧化层生长至所需要的厚度。该方法能降低4H‑SiC电压控制型功率半导体器件的开关损耗，同时能稳定4H‑SiC电压控制型功率半导体器件的阈值电压。

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