发明专利已授权

一种具有电荷积累效应的超结EA-SJ-FINFET器件

📄 申请号：CN202110745217.5 📄 发布日：2026/07/20

著录项目信息

申请日

2021-07-01

公开号

CN113488525B

公开日

2023-05-26

申请人

重庆邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_06

IPC 分类号

H01L29_06 , H01L29_78 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件功率半导体鳍式场效应晶体管

应用场景

电力电子, 新能源汽车, 新能源发电, 数据中心, 电源管理

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摘要

本发明涉及一种具有电荷积累效应的超结EA‑SJ‑FINFET器件，属于半导体技术领域。该器件由控制区和LDMOS导电区组成，控制区由源栅隔离氧化层、控制区的P‑body、控制区的P型外包区、控制区的漏极N‑buffer区、漏极P+区组成，LDMOS导电区由源极金属Al、源极P+区、源极N+区、P‑body、漂移区、漏极N‑buffer区、漏极N+区组成。本发明器件在传统FINFET器件的结构上，通过使用电荷积累效应和超结技术，提高了器件的击穿电压和跨导最大值，大幅降低了器件的比导通电阻，最终提高了器件的Baliga优值FOM，并打破了硅极限。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20230526

✅ 授权

20211026

?? 实质审查的生效：

20211008

📄 公开

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