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| 专利/申请号： | CN202110745217.5 | 专利名称： | 一种具有电荷积累效应的超结EA-SJ-FINFET器件 |
| 申请日： | 2021-07-01 | 申请/专利权人 | 重庆邮电大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 重庆市南岸区黄桷垭崇文路2号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L29/06 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2023-05-26 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN113488525B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 5 | 所属领域： | 半导体器件制造技术 集成电路设计专利转让搜索 |
应用场景：用于高性能计算芯片；低功耗传感器；汽车电子控制系统
摘 要：本发明涉及一种具有电荷积累效应的超结EA‑SJ‑FINFET器件，属于半导体技术领域。该器件由控制区和LDMOS导电区组成，控制区由源栅隔离氧化层、控制区的P‑body、控制区的P型外包区、控制区的漏极N‑buffer区、漏极P+区组成，LDMOS导电区由源极金属Al、源极P+区、源极N+区、P‑body、漂移区、漏极N‑buffer区、漏极N+区组成。本发明器件在传统FINFET器件的结构上，通过使用电荷积累效应和超结技术，提高了器件的击穿电压和跨导最大值，大幅降低了器件的比导通电阻，最终提高了器件的Baliga优值FOM，并打破了硅极限。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2023/05/26 | 授权 | |
| 2021/10/26 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 29/06 专利申请号: 202110745217.5 申请日: 2021.07.01 |
| 2021/10/08 | 公开 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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