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摘 要:本发明涉及一种具有纵向分离阳极结构的SALIGBT器件,属于半导体功率器件领域。本发明将传统SA‑LIGBT的N+阳极和P+阳极分离,将N+阳极设置在器件内部,通过增加N+阳极的纵向深度,延长单极性导电模式下电子的流动路径;N+阳极下方P型浮空层可以增大器件的阳极分布电阻,通过调节N+阳极的纵向深度和P型浮空层的掺杂浓度,完全消除snapback效应。本发明利用了器件的纵向长度减少芯片面积;正向导通时,新结构LIGBT的正向导通压降为0.91V,相比于分离阳极短路型LIGBT和常规阳极短路LIGBT分别减少了6.2%和24%;关断时,N+阳极可以快速抽取漂移区中的电子,其关断时间为370ns,相比于传统LIGBT和介质隔离型LIGBT减少了82%和23%。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202010092899.X | 专利名称: | 一种具有纵向分离阳极的SA-LIGBT器件 |
申请日: | 2020-02-14 | 申请/专利权人 | 重庆邮电大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 重庆市南岸区黄桷垭崇文路2号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L29/739搜分类 L 器件搜索 |
公开/公告日: | 2023-03-14 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN111326576B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2023/03/14 | 授权 | |
2020/06/23 | 公开 |