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24小时咨询热线著 录 项 目：
| 专利/申请号： | CN201910497542.7 | 专利名称： | 电子注入增强型双模式MOS控制晶闸管及其制造方法 |
| 申请日： | 2019-06-10 | 申请/专利权人 | |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L29/745 分类检索 |
| 公开/公告日： | 转让价格： | 【平台担保交易】 | |
| 公开/公告号： | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 | |
| 浏览量： | 155 | 所属领域： | 电子专利转让搜索 |
摘 要：本发明公开了一种电子注入增强型双模式MOS控制晶闸管，在n‑漂移区上方中央的p基区中设置有n+阴极区；p基区四周环绕的n CS层上部靠外设置有p++分流区，p++分流区上表面与n+阴极区上表面的铝层共同构成阴极电极K；部分n+阴极区、p基区、n CS层及部分p++分流区的上表面共同设置有一层栅氧化层，在栅氧化层上表面设置有多晶硅层作为栅极G；在阴极电极K与栅极G之间设置有磷硅玻璃层；n‑漂移区向下依次设置有n FS层、p+阳极区、金属化阳极A。本发明还公开了该IE‑Bi‑MCT的制备方法。本发明的IE‑Bi‑MCT结构，能显著降低器件的通态压降，提高单元胞最大可关断电流。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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