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摘 要:本发明公开一种半导体白光发光二极管,其特征在于所述V‑pits具有第一V‑pits和第二V‑pits,第一V‑pits具有非掺杂的ZnO量子点及其上方的CdSySe1‑y/ZnO核壳结构纳米柱发出红光;第二V‑pits具有非掺杂的ZnO量子点及其上方的ZnSzSe1‑z/ZnO核壳结构纳米柱发出绿光;第一V‑pits和第二V‑pits之间的多量子阱发出蓝光;从而形成红光、绿光和蓝光混合的白光发光二极管。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810379202.X | 专利名称: | 一种半导体白光发光二极管 |
申请日: | 2018-04-25 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L33/06搜分类 半导体搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2019/11/15 | 授权 | |
2018/10/26 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 33/06 专利申请号: 201810379202.X 申请日: 2018.04.25 |
2018/09/28 | 公开 |