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摘 要:本发明提供了一种埋层外延超结二极管及其制作方法。所述埋层外延超结二极管的制作方法包括:在第一N型外延层形成P型埋层;在所述第一N型外延层表面制作第二N型外延层并形成沟槽;在所述第二N型外延层的沟槽进行P型注入并在所述第二N型外延层形成P型注入区;在所述第二N型外延层表面形成P型外延层,所述P型外延层与所述第二N型外延层的P型注入区相接触;通过退火激活所述第一N型外延层的P型埋层和所述第二N型外延层的P型注入区的注入离子,并且在退火之后所述P型注入区延伸到与P型埋层相接触。本发明提供的埋层外延超结二极管的制作方法工艺简单,可以有效降低器件的制造成本,并提高器件的性能。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201710564651.7 | 专利名称: | 一种埋层外延超结二极管及其制作方法 |
申请日: | 2017-07-12 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L21/329搜分类 半导体 芯片 电子设备和元器件搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2020/11/17 | 专利申请权的转移 | 登记生效日: 2020.11.05 申请人由张正宇变更为叶豪 地址由131399 吉林省白城市大安市锦华街五委四组变更为317000 浙江省台州市临海市杜桥镇富南路88号 |
2017/12/12 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 21/329 专利申请号: 201710564651.7 申请日: 2017.07.12 |
2017/11/17 | 公开 |