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| 专利/申请号： | CN201810398127.1 | 专利名称： | 离子注入跑片装置及离子注入跑片方法 |
| 申请日： | 2018-04-28 | 申请/专利权人 | 苏州帕萨电子装备有限公司 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 江苏省苏州市太仓市城厢镇锦州路18号2幢 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L21/677 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2024-07-30 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN108766916B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 7 | 所属领域： | 半导体专利转让搜索 |
应用场景：集成电路生产线中的离子掺杂工艺;功率器件制造中的杂质注入;先进封装环节的精准改性;科研实验中的小批量试制
摘 要：本发明公开了离子注入跑片装置及离子注入跑片方法。该离子注入跑片装置包括水平进出传送区、垂直输送缓冲区、单个水平传送区及垂直输送储存区。离子注入跑片方法包括如下步骤：将硅片置于拖盘上隔板的下方，其中一排离子注入孔正对硅片的第一位置；将托盘运送至一真空腔中，在真空腔中运送托盘至第一离子处；将第一离子通过隔板的第一排离子注入孔注入至硅片的第一位置；隔板相对所述托盘移动位置，以使第二排离子注入孔正对硅片的第二位置；将第二离子通过隔板的第二排离子注入孔注入至硅片的第二位置；将托盘移出所述真空腔。本发明所述离子注入跑片装置，离子注入方便、快速、成本低、制作的硅片质量好。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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