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发明专利
已授权
离子注入跑片装置及离子注入跑片方法
📄 申请号:CN201810398127.1
📄 发布日:2026/01/04
著录项目信息
申请日
2018-04-28
公开号
CN108766916B
公开日
2024-07-30
申请人
赵素清
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H01L21_677
IPC 分类号
H01L21_677
,
H01L31_18
,
技术画像
所属领域
离子注入
离子注入
晶圆传输
半导体制造设备
应用场景
半导体制造, 晶圆加工, 集成电路工艺, 半导体掺杂
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摘要
本发明公开了离子注入跑片装置及离子注入跑片方法。该离子注入跑片装置包括水平进出传送区、垂直输送缓冲区、单个水平传送区及垂直输送储存区。离子注入跑片方法包括如下步骤:将硅片置于拖盘上隔板的下方,其中一排离子注入孔正对硅片的第一位置;将托盘运送至一真空腔中,在真空腔中运送托盘至第一离子处;将第一离子通过隔板的第一排离子注入孔注入至硅片的第一位置;隔板相对所述托盘移动位置,以使第二排离子注入孔正对硅片的第二位置;将第二离子通过隔板的第二排离子注入孔注入至硅片的第二位置;将托盘移出所述真空腔。本发明所述离子注入跑片装置,离子注入方便、快速、成本低、制作的硅片质量好。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
20250826
?? 专利权的转移 :
20240730
✅ 授权
20190906
⏳ 专利申请权的转移 :
20181130
?? 实质审查的生效 :
一种电磁线加工去静电设备
当前第 / 件
一种风电工程建设安全风险预警装置
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