发明专利 已授权

离子注入跑片装置及离子注入跑片方法

📄 申请号:CN201810398127.1 📄 发布日:2026/01/04

著录项目信息

申请日
2018-04-28
公开号
CN108766916B
公开日
2024-07-30
申请人
赵素清
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

半导体制造, 晶圆加工, 集成电路工艺, 半导体掺杂

摘要

本发明公开了离子注入跑片装置及离子注入跑片方法。该离子注入跑片装置包括水平进出传送区、垂直输送缓冲区、单个水平传送区及垂直输送储存区。离子注入跑片方法包括如下步骤:将硅片置于拖盘上隔板的下方,其中一排离子注入孔正对硅片的第一位置;将托盘运送至一真空腔中,在真空腔中运送托盘至第一离子处;将第一离子通过隔板的第一排离子注入孔注入至硅片的第一位置;隔板相对所述托盘移动位置,以使第二排离子注入孔正对硅片的第二位置;将第二离子通过隔板的第二排离子注入孔注入至硅片的第二位置;将托盘移出所述真空腔。本发明所述离子注入跑片装置,离子注入方便、快速、成本低、制作的硅片质量好。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

20250826
?? 专利权的转移 :
20240730
✅ 授权
20190906
⏳ 专利申请权的转移 :
20181130
?? 实质审查的生效 :
¥12660.0
不含过户费

📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:136 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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🏢 淄博智来知识产权服务有限公司
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