发明专利 已授权

一种氧化铌/银纳米线双层结构柔性透明导电薄膜及其制备方法

📄 申请号:CN202111492644.3 📄 发布日:2026/11/10

著录项目信息

申请日
2021-12-08
公开号
CN114231903B
公开日
2023-09-26
申请人
洛阳理工学院
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

柔性电子, 触摸屏, 显示器件, 光伏器件, 可穿戴电子

摘要

本发明涉及一种氧化铌/银纳米线双层结构柔性透明导电薄膜及其制备方法,清洗衬底并用高纯氮气吹干备用;将银纳米线AgNW与无水乙醇混合均匀制成混合溶液;在衬底表面均匀旋涂AgNW与无水乙醇的混合溶液,之后放置在烘箱中烘干,然后固定到磁控溅射样品台上;将Nb2O5靶材装入真空腔体内,磁控溅射系统的本底真空度抽至2.0×10‑4~1.0×10‑3Pa,通入氩气,压强调节为0.3~5Pa,溅射功率为20~100W,通过沉积在衬底的银纳米线表面得到Nb2O5薄膜;完成后,即得到Nb2O5/AgNW双层结构柔性透明导电薄膜。本发明制备的Nb2O5/AgNW双层结构柔性透明导电薄膜具有优异的柔性、粘附性及稳定性,具有较低的电阻和较高的光学透过率,且成本低廉,适合工业化生产。

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图2
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