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本发明涉及一种梯度掺杂AZO薄膜的制备方法，ITO/AZO薄膜一/AZO薄膜二/AZO薄膜三/P3HT:PCBM，作为倒结构聚合物太阳电池中的电子传输层，不但能够提高AZO薄膜的结构特性，提高AZO薄膜导电性的纵向均匀性，而且在大气环境下即可制备完成，有效降低电池内部载流子复合机率，显著提高电池短路电流密度和填充因子，实现电池光电转换效率的大幅提升。特别是该方法简单易行，与商业化大面积生产制备工艺兼容，从而能够加快倒结构聚合物太阳电池的产业化进程，满足社会需求。

本发明公开了一种绒面透明导电薄膜，以石英玻璃为基底，在基底上依次沉积有Pt层、TiO2薄膜层及FTO薄膜层，形成的FTO/TiO2/Pt复合薄膜作为薄膜太阳电池的前电极；其制备方法为，在不高于100℃的条件下采用磁控溅射技术，在石英玻璃衬底上沉积Pt层；制备喷涂液A；通过喷雾热解工艺将喷涂液A喷涂在Pt层上得到TiO2薄膜层，对制备的TiO2薄膜层进行退火处理，得到缓冲层；制备喷涂液B；通过喷雾热解工艺将喷涂液B喷涂在缓冲层上得到FTO薄膜层，最后退火处理。本发明制备的薄膜与单一的TCO薄膜相比，其雾度明显提高，导电性能良好，光学透过率高，适用于太阳能电池前电极透明导电薄膜的要求。

本发明涉及一种透明导电薄膜，所述透明导电薄膜由若干层氧化钛薄膜与若干层氧化钽薄膜交替叠加而成，其中氧化钛与氧化钽的比例为10：1‑30：1。本技术方案所述的透明导电薄膜电阻率低，性能优良，为一种全新的金属氧化物透明导电薄膜材料。本发明还包括一种透明导电薄膜的制备方法，使用原子层沉积法，在若干层氧化钛薄膜上叠加若干层氧化钽薄膜为一个循环，进行若干次所述循环后便得到所述透明导电薄膜。使用原子层沉积法可以在低温下实现金属氧化物膜的沉积，可以通过沉积的层数精确控制金属氧化物之间的比例，可以通过循环次数精确控制薄膜厚度，且具有良好的均匀性及重现性，可以稳定的进行大面积沉积，并得到质量稳定的导电薄膜。

本发明涉及透明导电薄膜材料领域，特指一种以掺氟二氧化锡(FTO)薄膜为基底，利用正负电解质离子相互吸附的自组装技术实现g‑C3N4/FTO复合透明导电薄膜制备的方法，通过改变实验过程中溶液的pH值可灵活调控所制备的复合薄膜的光电性能。

本发明公开的一种超高透明导电性ITO薄膜的制备方法，具体步骤如下：步骤1，以苯甲酰丙酮、乙二醇甲醚、硝酸铟、四氯化锡及乙酸酐为原料配制锡掺杂氧化铟溶胶；步骤2，将钠钙玻璃片作为镀膜基板采用浸渍提拉法制备ITO镀膜玻璃；步骤3，将步骤2得到的ITO镀膜玻璃放置于管式炉中于500～550℃氢气气氛中进行终处理，气压0.1MPa，流量4～10mL/min，保温时间10～15min，得到ITO纳米晶薄膜。该方法能够大面积制膜，适合于产业化量产。本发明公开的一种有上述方法制备的超高透明导电性ITO薄膜。

本发明公开的适用于柔性器件使用的双面ITO薄膜，步骤1，以纯乙醇、三氯化铟、四氯化锡、乙酸酐为原料配制锡掺杂氧化铟溶胶；步骤2,将聚酰亚胺基板作为镀膜基板采用浸渍提拉法制备ITO镀膜基板；步骤3，将步骤2得到的ITO镀膜基板置于管式炉中于200～350℃氧气气氛中进行热处理，气压0.05～0.5MPa，流量4～20mL/min，保温时间2～5h；步骤4，制备ITO纳米晶薄膜。能够解决现有ITO薄膜不能在低温下进行双面同时镀制的技术难题，而且该方法能够大面积制膜，适合于产业化量产。本发明还公开一种适用于柔性器件使用的双面ITO薄膜。