发明专利已授权

一种高迁移率n型超薄纳米金刚石薄膜及其制备方法

📄 申请号：CN201810246649.X 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2018-03-23

公开号

CN108531883B

公开日

2020-06-09

申请人

浙江工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C16_27

IPC 分类号

C23C16_27 , C23C16_02 , C23C16_56 , C23C14_48 , C23C14_35 , C23C14_06 ,

技术画像

所属领域

纳米金刚石纳米材料薄膜材料半导体材料纳米金刚石

应用场景

半导体器件, 电子元器件, 光学窗口, 散热材料, 传感器

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摘要

本发明公开了一种高迁移率n型超薄纳米金刚石薄膜及其制备方法：采用热丝化学气相沉积方法(HFCVD)，在通过物理气相沉积(PVD)了过渡层的硅衬底上制备超薄纳米金刚石薄膜，过渡层的厚度为50‑100nm。以丙酮作为碳源，采用氢气鼓泡方式将碳源带入反应室腔体，生长时间约10‑30分钟，制备得到厚度200‑300nm的超薄纳米金刚石薄膜。对超薄纳米金刚石薄膜注入施主杂质离子，注入后的样品再进行低真空氧化退火，即得到所述具有新颖微结构的高迁移率n型超薄纳米金刚石薄膜。该结果对于实现金刚石薄膜在半导体器件、光电子领域、场发射显示器等领域的应用具有十分重要的意义和价值。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种基于机器视觉的圆柱滚子表面缺陷检测方法

当前第 / 件

一种乳酸的晶胶吸附层析分离方法

同领域国内专利 · IPC: (C23C16_27)

C23C16_00 C23C16_01 C23C16_02 C23C16_08 C23C16_18 C23C16_26 C23C16_27 C23C16_30 C23C16_34 C23C16_40 C23C16_44 C23C16_455 C23C16_458 C23C16_46 C23C16_48 C23C16_50 C23C16_505 C23C16_517 C23C16_54 C23C16_56 覆盖20个领域

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