发明专利已授权

一种纳米晶MoSi2涂层的制备方法及纳米晶MoSi2涂层

📄 申请号：CN202110275815.0 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2021-03-15

公开号

CN113046714B

公开日

2021-11-23

申请人

西南大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C14_35

IPC 分类号

C23C14_35 , C23C14_06 ,

技术画像

所属领域

纳米材料纳米材料陶瓷涂层表面工程

应用场景

航空航天高温防护, 燃气轮机热端部件, 高温炉耐热涂层

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摘要

本发明涉及高温涂层材料技术领域，具体公开了一种纳米晶MoSi2涂层的制备方法及纳米晶MoSi2涂层，MoSi2涂层的制备方法包括以下步骤：将基底置于磁控溅射系统的腔室中，抽真空后通入惰性气体，加热基底至600‑800℃，同时开启钼靶和硅靶的电源进行共沉积，得到MoSi2涂层；其中，钼靶为1个，硅靶为2个，共沉积过程中，控制钼靶和硅靶的溅射速率相同。本发明的纳米晶MoSi2涂层的制备方法简单，能够在基底上原位合成化学计量比的MoSi2涂层，不需要再经过退火处理，能够避免在退火过程中发生晶粒变大以及膜基结合力变弱等问题，同时避免在涂层中引入其它非化学计量比的组成相。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

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