发明专利已授权

InGaN基LED外延片及其制备方法

📄 申请号：CN201910177234.6 📄 发布日：2026/07/28

著录项目信息

申请日

2019-03-08

公开号

CN111668354B

公开日

2021-08-17

申请人

华南师范大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L33_32

IPC 分类号

H01L33_32 , H01L33_14 , H01L33_00 ,

技术画像

所属领域

半导体外延生长半导体外延生长发光二极管氮化镓材料

应用场景

半导体照明, 显示器件, 光通信, 光电探测

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摘要

本发明提供了一种InGaN基LED外延片及其制备方法，其中InGaN基LED外延片包括：衬底；InGaN层片，形成于所述衬底的一侧表面，其In含量在40％至90％之间，以确保所述LED外延片能够发射长波长光或近红外射线；p型金属氧化物层片，形成于所述InGaN层片的背朝所述衬底的一侧表面上，以用作对所述InGaN层片的空穴注入层。由于p型金属氧化物(特别是Cu2O)可以容易地实现高p型导电性，实现很高的空穴迁移率，因此本发明中的p型金属氧化物层片可以有效地用作InGaN层片的空穴注入层，从而避免使用现有技术中的宽带隙低In含量的p型InGaN或纯GaN作为空穴注入层。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

基于线性回归的关联成像方法

当前第 / 件

一种基于会议场景小样本条件下的声纹准确识别方法

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