发明专利已授权

一种铜纳米结构的制备方法

📄 申请号：CN202110415899.3 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2021-04-19

公开号

CN113122811B

公开日

2023-07-18

申请人

西安工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C14_26

IPC 分类号

C23C14_26 , C23C14_04 , C23C14_06 , C23C14_54 , C23C14_18 , C23C14_58 , B22F1_054 , B82Y30_00 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

纳米结构纳米材料金属纳米材料纳米结构

应用场景

催化剂, 导电材料, 传感器, 电子器件, 抗菌材料

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摘要

本发明公开了一种铜纳米结构的制备方法，选取基底，利用真空热蒸镀法在基底上蒸镀作为阳极的第一薄膜、以及作为阴极的第二薄膜；其中，第一薄膜和第二薄膜间隔设置，且材质均为金/银；在具有第一薄膜和第二薄膜的基底上蒸镀快离子导体薄膜；其中，快离子导体薄膜中含有铜，且快离子导体薄膜为连通的整体膜，整体膜同时覆盖于第一薄膜和第二薄膜上；为阳极和阴极通电，达到预定时间后，在阴极上得到铜纳米结构；本发明采用固态离子学法，采用RbCu4Cl3I2快离子导体薄膜，并利用不同于快离子导体薄膜的金属(金、银)作为电极，在全固态环境下完成了铜纳米结构的制备。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20230718

✅ 授权

20210803

?? 实质审查的生效：

20210716

📄 公开

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