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本发明涉及一种平面金属纳米手性结构、制备方法和AT效应调控方法，该结构是由多个结构相同的纳米单元上下、左右组合阵列而成的手性结构；纳米单元包括金属纳米棒和位于金属纳米棒一侧的S形金属纳米结构；S形金属纳米结构具有手性特征；金属纳米棒为长方体，其宽度和厚度分别与S形金属纳米结构的宽度和厚度相等；金属纳米棒和S形金属纳米结构之间有间距；金属纳米棒和S形金属纳米结构均采用金材料。本发明结构由金属纳米棒和S形金属纳米结构两个单独的简单结构组合而成，能够在圆偏振光垂直照射下产生高效直入射非对称传输。此外，通过调节本发明的结构参数实现可预测的非对称传输频带光谱调整，对AT信号的强弱和峰值波段进行调控。

本发明公开了一种铜纳米结构的制备方法，选取基底，利用真空热蒸镀法在基底上蒸镀作为阳极的第一薄膜、以及作为阴极的第二薄膜；其中，第一薄膜和第二薄膜间隔设置，且材质均为金/银；在具有第一薄膜和第二薄膜的基底上蒸镀快离子导体薄膜；其中，快离子导体薄膜中含有铜，且快离子导体薄膜为连通的整体膜，整体膜同时覆盖于第一薄膜和第二薄膜上；为阳极和阴极通电，达到预定时间后，在阴极上得到铜纳米结构；本发明采用固态离子学法，采用RbCu4Cl3I2快离子导体薄膜，并利用不同于快离子导体薄膜的金属(金、银)作为电极，在全固态环境下完成了铜纳米结构的制备。