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实用新型
已授权
具有侧壁场板的发光二极管器件结构
📄 申请号:CN202020420170.6
📄 发布日:2026/05/19
著录项目信息
申请日
2020-03-27
公开号
CN212230446U
公开日
2020-12-25
申请人
天津赛米卡尔科技有限公司
法律状态
已下证
专利类型
实用新型
主分类号
H01L33_06
IPC 分类号
H01L33_06
,
H01L33_14
,
H01L33_38
,
H01L33_00
,
技术画像
所属领域
半导体器件
半导体器件
发光二极管
器件结构设计
应用场景
通用照明, 显示器件, 背光模组, 光电器件, 半导体制造
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摘要
本实用新型涉及一种具有侧壁场板的发光二极管器件结构。侧壁场板结构由绝缘层和覆盖于绝缘层上的阳极电极构成;绝缘层覆盖于发光二极管台面中的电流扩展层、空穴传输层、电子阻挡层和有源区的侧壁及电子传输层的上表面;发光二极管台面中电子阻挡层到电流扩展层侧壁的绝缘层宽度为0.001~1μm,电子传输层上表面的绝缘层的宽度大于电子阻挡层到电流扩展层的侧壁的绝缘层宽度;利用侧壁场板结构耗尽发光二极管器件边缘载流子,降低器件边缘处载流子浓度的特点,可以减弱器件边缘部位的非辐射复合,使整个器件的载流子得到有效地利用,最终实现发光二极管器件尤其是小尺寸发光二极管器件的光功率的提升。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
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📌 交易状态:
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