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发明专利
已授权
一种硬脆半导体晶圆的化学机械磨削系统及方法
📄 申请号:CN202510155872.3
📄 发布日:2026/05/07
著录项目信息
申请日
2025-02-12
公开号
CN119820471B
公开日
2025-09-19
申请人
燕山大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
B24B37_04
IPC 分类号
B24B37_04
,
B24B37_10
,
B24B37_005
,
B24B37_34
,
B24B37_30
,
B24B37_14
,
B24B55_02
,
H01L21_02
,
H01L21_67
,
C10M169_04
,
C10N30_06
,
C10N30_10
,
技术画像
所属领域
半导体晶圆加工
半导体晶圆加工
化学机械平坦化
精密与超精密加工
应用场景
半导体晶圆制造, 晶圆减薄, 集成电路制造, 先进封装, 半导体衬底加工
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摘要
本发明涉及一种硬脆半导体晶圆的化学机械磨削系统及方法,所述化学机械磨削方法:采用有机热分解型氧化剂和有机光分解氧化剂及聚乙二醇、丙三醇和植物油,配置油基热活性‑光活性复合磨削液;搭建具有紫外光辐照功能且辐照强度和紫外光波长可调可控的紫外光‑金刚石磨料砂轮化学机械磨削平台;启动化学机械磨削平台及微量润滑供液装置,控制待加工晶圆与金刚石磨料砂轮相互旋转对磨;开启紫外光发生器对晶圆表面热活性‑光活性复合磨削液滴进行精准辐照,利用磨削热能和紫外光辐照能诱导热分解型和光分解型氧化剂产生活性自由基,引发晶圆表层材料发生自由基氧化反应,形成低界面结合力的氧化层;金刚石磨料小载荷微切削去除晶圆表面氧化层,高效率获得亚表面近无机械损伤的半导体晶圆。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
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