本实用新型公开了晶圆加工技术领域的一种等离子体CVD晶圆用表面修磨装置，包括箱体，所述箱体内腔的底部固定安装有配件盒，本实用新型第一电机带动主动轮旋转，并且通过主动轮和从动轮的配合来使链条进行转动，从而使链条带动滑轴进行移动，在滑轴移动的时候，能够带动活动板移动，进而通过活动板带动平台做左右往复运动，并且在第三电机的作用下带动拨杆进行旋转，拨杆带动拨板前后摆动，从而通过拨板的作用带动齿轮正反转，齿轮带动盒体以及安装在盒体的晶圆载具做前后往复运动，并且晶圆载具在第二电机的作用下进行旋转，能够使晶圆与打磨垫的各个位置进行接触，避免对打磨垫造成浪费。
📄 2022218817801
📂 B24B37_10
👤 广州市鸿浩光电半导体有限公司
📅 2022-07-20
本实用新型属于抛光研磨领域，尤其是一种芯片端面抛光研磨机，针对现有的芯片端面加工不可多片芯片同时在研磨抛光机上进行加工，废弃抛光液没有回收装置，抛光效果易被灰尘等环境因数影响的问题，现提出如下方案，其包括主体外框，所述主体外框顶端固定连接有顶部电机，所述顶部电机输出端贯穿主体外框顶端固定连接有大螺纹轴，所述大螺纹轴外侧螺纹套设有内螺纹杆，所述内螺纹杆外侧滑动连接有固定套筒，可多片芯片同时在研磨抛光机上进行精密加工，大幅提高了工作效率，能够对废弃抛光液及时回收，排除了外部环境因数对芯片抛光效果的影响，实际使用效果佳。
📄 2022221738699
📂 B24B37_10
👤 深圳市方达研磨技术有限公司
📅 2022-08-18
已申报项目
本实用新型属于单晶硅片技术领域，尤其是一种防偏移的晶元硅片减薄机，针对现有的晶元硅片减薄机打磨晶元硅片时出现偏移，降低打磨后晶元硅片品质的问题，现提出如下方案，其包括多轴研磨机器人，所述多轴研磨机器人上转动连接有研磨头，且多轴研磨机器人底端固定连接有机架，所述研磨头外侧螺纹连接有紧固螺母、紧固盘和平顶锥形件，且研磨头底端固定连接有真空吸盘，所述紧固盘底端和平顶锥形件侧面可接触连接，所述平顶锥形件上固定设置有防护橡胶圈，所述机架上滑动连接有水箱，本实用新型预防了晶元硅片被加工时的偏移，提高了晶元硅片加工的质量和效率，降低了晶元硅片生产成本；适用范围广，使用效果佳。
📄 202222016424X
📂 B24B37_10
👤 深圳市方达研磨技术有限公司
📅 2022-08-02
已申报项目
本实用新型属于晶圆加工装置技术领域，且公开了一种晶圆坯料化学刻蚀抛光处理装置，包括固定筒，所述固定筒的外表面固定套接有挡板，所述挡板的左侧固定安装有侧板。本实用新型通过设置竖杆、转动板、圆块和活动框，当在对晶圆坯料本体进行抛光处理时，可以通过启动动力电机，使得转轴带动圆板发生旋转，进而使得移动块带动圆块以转轴为轴心进行转动，使得圆块挤压推动活动框的内表面，带动活动框发生转动，使得活动框带动转动板以竖杆为轴心进行摆动，从而使得晶圆坯料本体能够不断的在抛光盘的顶部进行来回摆动，使得抛光液能够渗透进晶圆坯料本体和抛光盘之间，从而提高了对晶圆坯料本体的抛光效果。
📄 2024232695889
📂 B24B37_10
👤 苏州岽睿微电子科技有限公司
📅 2024-12-30
本发明属于硬脆材料研磨抛光技术领域，具体涉及一种平面非连续剪切增稠SiC研抛一体抛光装置，包括工作台、抛光盘组件、抛光头组件，抛光盘组件包括抛光盘主体、抛光盘驱动机构、恒压供液机构和抛光垫，抛光盘主体的中心部位内置中心分液腔，抛光盘主体的上表面以中心分液腔为中心内外设置若干圈环形的抛光液贮藏槽。本发明解决了SiC衬底平面研磨抛光流程长成本高，表面粗糙等问题，在相对剪切速率较高时，剪切增稠抛光液发生剪切增稠现象，实现SiC衬底的研磨工序，在相对剪切速率较低时，实现SiC衬底的抛光工序，从而获得低损伤的SiC衬底，为后续CMP工序提供更好的衬底。
📄 2023107829984
📂 B24B37_10
👤 浙江工业大学
📅 2023-06-29
一种具有无级变速功能的研磨抛光加工方法，包括以下步骤：(1)将线切割后的矩形薄片试样，沿着圆周方向粘贴在工件盘下表面；(2)将上研磨装置固定在下研磨装置的台面上；(3)使工件盘沿着Y向达到指定位置，与研磨盘实现固定偏心距，启动研磨盘驱动电机，使研磨盘工作；(4)加工开始时，向开有凹槽的研磨盘表面加研磨液，随后启动工件盘的驱动电机，使工件盘旋转，工件盘的驱动是工件盘驱动电机经过无级变速机构实现的，工件盘驱动电机通过联轴器带连接无级变速机构的圆锥滚轮大端轴径，并驱动圆锥滚轮旋转；研磨过程中定期向研磨盘表面加入研磨液。本发明实现一定范围内速度任意可调节的功能要求，保证实际中的速度大小需求。
📄 2017110773029
📂 B24B37_10
👤 浙江工业大学
📅 2017-11-06
一种新型高精度控形的平面研磨驱动装置，包括伺服电机、轴Ⅰ、齿轮Ⅰ、轴Ⅱ、齿轮Ⅱ、行星架、锥齿轮Ⅰ、锥齿轮Ⅱ、轴Ⅲ、双十字轴式万向联轴器、轴Ⅳ、固定支座、齿轮Ⅲ、导向齿轮Ⅰ、导向齿轮Ⅱ、保持架、齿轮环、用于对研磨盘进行修整且保证研磨盘的平面度的修整环、工件盘和机架；所述齿轮Ⅰ固定安装在所述轴Ⅰ的下端；所述齿轮Ⅱ通过内部的滚动轴承套装在轴Ⅱ的中部上，且与齿轮Ⅰ相啮合，所述行星架的上端通过焊接与齿轮Ⅱ的轮毂固定连接，所述锥齿轮Ⅰ、锥齿轮Ⅱ和行星架组成行星轮系。本发明提供了一种新型高精度控形的平面研磨驱动装置，在一定转速范围内通过调节转速比为无理数数值，能够显著提高研磨加工效率和工件加工表面质量。
📄 2018104662042
📂 B24B37_10
👤 浙江工业大学
📅 2018-05-16
本发明提供了一种去厚均匀的硅片全自动抛光方法及设备，该抛光方法包括贴片，通过贴片设备将硅片沿陶瓷盘圆周均匀铺贴多片，随后转移到本发明抛光设备上；粗抛，抛光垫对硅片表面进行打磨抛光，并同时对陶瓷盘施加400‑500千克的压力，抛光6‑8分钟；中抛，通过旋转机器手转移陶瓷盘和硅片，对硅片进一步抛光，对陶瓷盘施加200‑300千克的压力，抛光6‑8分钟；通过粗抛、中抛、精抛多工序连续抛光作业，实现高精度去厚，同时，在中抛和精抛过程中，根据硅片不同部位去厚量减小或增大对应部位的压力，保证硅片表面去厚量一致，从而保证硅片表面的厚度一致性。
📄 2025104943864
📂 B24B37_10
👤 浙江工业大学
📅 2025-04-21
一种新型圆弧摆动平面研磨装置，包括电机支架、电机Ⅰ、刚性联轴器、下弧形导轨、圆柱齿轮Ⅰ、圆柱齿轮Ⅱ、牛眼轮、轴Ⅰ、齿轮固定架、下摆臂，上摆臂、上弧形导轨、固定竖板、电机板、弯轴，锥齿轮Ⅱ、电机Ⅱ、梅花联轴器、轴Ⅱ、圆柱齿轮Ⅲ、圆柱齿轮Ⅳ、轴Ⅲ、轴Ⅳ、锥齿轮Ⅰ、万向节、固定横板、轴Ⅴ、卡盘、插杆和工件盘，通过机械机构，通过一个电机带动工件盘的形成无理数的自转，同时另一个电机带动工件盘做可变摆角的摆动运动，使得工件盘在研磨过程中实现自转和摆动两个运动，实现研磨轨迹线的不闭合，增加轨迹线在研磨盘的分布范围。本发明提高平面研磨的精度和效率。
📄 2019106085970
📂 B24B37_10
👤 浙江工业大学
📅 2019-07-08
本发明涉及半导体制造的技术领域，特别是涉及一种电子控制晶圆平整度加工化学机械研磨设备，其提高研磨效率，增加晶圆研磨精度；包括操作台，操作台上设置有支撑柱，支撑柱上转动安装有摆动梁，摆动梁上设置有长槽孔，摆动梁转动安装使研磨加工区调节，摆动梁转动设置有安装座，安装座上转动设置有多组安装轴，安装座使多组安装轴与摆动梁转动安装，安装轴上同轴设置有研磨块。
📄 2022108568281
📂 B24B37_10
👤 烟台职业学院
📅 2022-07-20
本发明公开了磨料与晶圆衬底摩擦化学反应的实现装置及其实现方法，实现装置包括主轴模块、液池模块及装夹模块；该主轴模块包括主轴、转接盘、供晶圆衬底固设其上的样品台和加热器；该液池模块包括液池、盖板、固定环及进液管，该液池包括设有安装通孔的池底、池内壳、池外壳和设有样品口的池盖；该装夹模块包括加载装置、样品夹杆和硬质磨料压头。它具有如下优点：通过硬质磨料压头与晶圆衬底的划擦实验，还原加工过程中划擦速度、载荷、温度和润滑状态，进而研究硬质磨粒与晶圆之间的界面作用关系，有助于揭示硬质磨料与晶圆衬底界面摩擦化学反应的作用机制，在半导体晶圆衬底的高效超精密加工领域具有良好的应用前景，且装置简单、操作方便。
📄 2021103784400
📂 B24B37_10
👤 华侨大学
📅 2021-04-08
本实用新型公开了一种半导体晶圆减薄装置，包括转盘，所述转盘的底部中心设置步进电机，所述转盘的上表面环形阵列设置多个物料盘，所述物料盘的上表面开设多个物料槽，且每个物料槽的中心均设置真空吸孔，所述转盘的外部设置环形底座，所述环形底座与转盘同心圆设置，所述环形底座的上表面环形阵列设置多个升降缸，所述升降缸的活塞杆顶部设置同一个安装板，所述安装板的底部设置多个驱动电机，所述驱动电机与物料盘一一对应，所述驱动电机的输出轴上设置磨轮，所述磨轮包括磨齿轮、粗磨轮、细磨轮和精磨轮。本实用新型能够同时对多个晶圆进行减薄，且采用多种磨轮，能够实现不同要求的减薄，大大提高了工作效率。
📄 2024202274471
📂 B24B37_10
👤 南通捷晶半导体技术有限公司
📅 2024-01-30
已申报项目
柿子坊 · 知识产权运营
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