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本发明公开一种碳化硅晶片抛光加工状态在线监测方法，包括以下步骤：采集碳化硅晶片研磨抛光完整工况的周期振动信号数据，构建碳化硅晶片研磨抛光材料去除特征数据集；建立加工试验工况库，并将振动信号测试值放入匹配的工况库中；对振动信号进行变分模态分解，获取IMF主分量能量谱；构建实际加工特征指数；建立粒子滤波状态估计模型；通过粒子点进行新特征指数构建，并以此迭代实现碳化硅晶片抛光加工状态在线监测。本发明通过对原始振动信号进行变分模态分解，可以有效去除噪声，获得主能量谱，使得后续分析更加准确，抗干扰能力增强。

本发明公开了一种弹性模量梯度变化研抛盘的材料去除率测量装置及方法，包括X轴运动模组、Y轴运动模组、负压配模调压装置、弹性模量梯度变化研抛盘、抛光机、工作台机架、压力调节反馈装置和调平校准装置实验平台，本发明在传统的平面工整抛光中对被测硬脆材料工件添加了负压配模，可有效的减弱“边缘效应”，引入梯度功能研抛盘理念，实现工件接触表面的接触应力梯度分布，可更大程度的实现工件表面的均匀去除，填补了基于梯度功能研磨盘的硬脆材料均匀去除新型超精密加工技术尚无相关测量试验装置的空白，并提供了一套测试方法，该装置对后续大规模生产和提高加工质量有重要的测试意义。

本发明公开了一种基于梯度弹性研抛工具的面形误差分级修正方法，包括如下步骤：(1)根据工件的加工要求确定工件的理论面形；(2)检测工件的实际面形特征；(3)将工件的实际面形与理论面形相拟合确定工件的面形误差，利用等高线加工法得到等残余误差并将等残余误差分级加工；(4)根据材料的去除分布选择合适参数组合的研抛工具；(5)根据所确定的去除深度从去除函数库中选择合适的工艺参数，规划合适的路径以及合适的进给速度便可实现每一个单层的均匀去除。本发明的加工方法能够更好的实现按需定量去除，材料的去除具有可预见性，因此可以提高加工效率和加工质量。

一种基于氧化膜状态主动控制的轴承滚子ELID研磨装置，包括研磨盘模块、电源模块、反馈控制模块、电解液模块和轴承滚子，所述研磨盘模块中，上研磨盘可实现上下运动，对轴承滚子进行加压，吸附轴承滚子使其转动力矩大于摩擦阻力矩，从而实现轴承滚子接触恒定，摩擦恒定，使轴承滚子的连续稳定自转，实现研磨主运动，螺旋沟槽位于上研磨盘下表面，与轴承滚子接触，下研磨盘位于上研磨盘下方，与上研磨盘同轴线，直线沟槽位于下研磨盘上表面，直线沟槽表面为金属结合剂固着磨料磨具，沿直线沟槽的直线进给运动以及沿螺旋槽的螺旋运动用于维持研磨盘工作面的面形，轴承滚子出口位于下研磨盘中心。本发明高表面质量、高批一致性、高形位精度。

一种基于氧化膜状态主动控制的ELID研磨方法，轴承滚子上料完成后上研磨盘下移，对轴承滚子实现稳定加压，同时下研磨盘旋转；轴承滚子研磨切削运动的主运动为滚子与研磨盘工作面的接触线绕滚子轴线的回转运动，用于形成轴承滚子表面；轴承滚子研磨切削运动的进给运动为接触线沿直线沟槽的直线运动，接触线沿直线沟槽的直线进给运动及沿螺旋槽的螺旋运动用于维持研磨盘工作面的面形；在研磨过程中，同时对沟槽进行可控电解，电解电流流经下研磨盘直线沟槽、电解液、上研磨盘形成回路，从而能对连接电源正极的直线沟槽实现电解，使磨粒持续可控露出，实现研磨沟槽在线修锐。本发明保证轴承滚子的加工过程稳定，表面质量高，批一致性好。

本发明属于光纤研磨领域，主要涉及一种多维光纤研磨系统，包括：电控三维位移台、电控转动机构、光纤夹持装置、冷凝装置、冷凝介质添加器、光纤研磨机、光纤端面监视装置、计算机，通过冷凝装置对光纤夹持装置内部的液体制冷凝固，使得光纤整体被液体密封能够有效的防止在研磨过程中因为夹持不牢固所导致的光纤断裂或磨损的情况，利用计算机调节电控三维位移台使得光纤能够在光纤研磨盘上实现X、Y、Z方向上的三维平动，通过计算机可调节电控转动机构使光纤端面相对光纤研磨盘面转动，并在研磨过程中通过光纤端面监视装置对研磨过程进行实时的精密监测以制备出多种端面结构的光纤耦合器，进而提高光纤耦合器的效率或用于特种光纤传感。