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本发明涉及一种硬脆半导体晶圆的化学机械磨削系统及方法，所述化学机械磨削方法：采用有机热分解型氧化剂和有机光分解氧化剂及聚乙二醇、丙三醇和植物油，配置油基热活性‑光活性复合磨削液；搭建具有紫外光辐照功能且辐照强度和紫外光波长可调可控的紫外光‑金刚石磨料砂轮化学机械磨削平台；启动化学机械磨削平台及微量润滑供液装置，控制待加工晶圆与金刚石磨料砂轮相互旋转对磨；开启紫外光发生器对晶圆表面热活性‑光活性复合磨削液滴进行精准辐照，利用磨削热能和紫外光辐照能诱导热分解型和光分解型氧化剂产生活性自由基，引发晶圆表层材料发生自由基氧化反应，形成低界面结合力的氧化层；金刚石磨料小载荷微切削去除晶圆表面氧化层，高效率获得亚表面近无机械损伤的半导体晶圆。

本实用新型公开了一种半导体晶圆加工用烘干装置，包括烘箱，烘箱的底部设置旋转电机，旋转电机传动连接方轴，方轴纵向设置在烘箱内部，方轴的下部设置限位环，方轴上套接方管，限位环对方管进行限位，方管的外部套接多个圆形的放置架，所述放置架包括内环和外环，且两者同心圆设置，所述内环和外环之间设置多个放置环，所述放置环具备环形槽用于放置晶圆，所述放置环的底部设置十字型的托架，所述内环内侧设置多个连接件与方管固定连接，所述烘箱侧壁设置多个加热管，所述烘箱底部设置多个热气管，所述热气管外接热风机。本实用新型通过设置能够旋转的放置架，减小与晶圆的接触面积，同时能够均匀受热，提高烘干效率，晶圆的生产加工。

本实用新型公开了一种防松动的硅片脱胶架，涉及硅片脱胶架技术领域，为解决现有的硅片脱胶架，为框架定位，形成内部限位，随着不断的滑动，导致内部硅片排列发生松动，使得相互碰撞，影响硅片的质量的问题。本实用新型包括温热罐，温热罐的中间设有硅片脱胶架，硅片脱胶架包括转动过滤组件，转动过滤组件为转动筛，转动筛的中间设有旋转端，旋转端的外侧设有限位组件，限位组件设有多组，多组限位组件环绕旋转端的外侧设置，两组限位组件的之间设有隔断组件，通过多组限位组件环绕旋转端的外侧设置，根据硅片的大小，通过定位孔安装不同的托盘，便于硅片脱落，通过转动筛进行保护与限位，保障硅片的质量。

本实用新型公开了一种半导体晶圆加工用工装，包括底座，底座上设置旋转电机，旋转电机的输出轴上设置安装套，安装套内分别设置电磁铁和磁性座，磁性座的上表面开设半球形的容纳槽，容纳槽内设置磁性的球形体，容纳槽对球形体进行限位，球形体在容纳槽内进行旋转和摆动，球形体的上表面设置Y型的安装支架，安装支架上设置固定盘，固定盘的底部设置双向伸缩气缸，双向伸缩气缸的活塞杆端部设置F型结构的移动块，移动块的顶层设置下压气缸，移动块的二层设置气囊。本实用新型通过设置气囊能够对晶圆进行初步固定，然后采用下压气缸进行再次固定，气囊能够缓解部分压力，避免固定的过程中容易因固定力度较大对半导体晶圆造成破坏。