发明专利已授权

兼容SiC MOSFET和GaN HEMT的模型及其仿真模型的创建方法

📄 申请号：CN202010508764.7 📄 发布日：2026/05/07

著录项目信息

申请日

2020-06-06

公开号

CN111832242A

公开日

2020-10-27

申请人

闽南理工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G06F30_367

IPC 分类号

G06F30_367

技术画像

所属领域

仿真模型半导体器件建模功率半导体器件电路仿真仿真模型

应用场景

电力电子, 新能源汽车, 电源转换, 集成电路设计, 半导体器件仿真

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摘要

本发明提供一种兼容SiC MOSFET和GaN HEMT的模型及其仿真模型的创建方法，其中，上述模型包括第一模型和第二模型；第一模型包括：从漏极到源极之间串联受控电流源；受控电流源与第一电容并联；源极和栅极之间依次串联第一电阻和第二电容；第一电阻和漏极之间串联第三电容；第二模型包括：第一引脚，第一引脚与接地端之间串联有一损耗功率元件；第二引脚，第二引脚与损耗功率元件之间串联有热阻网络。本发明的有益效果在于：兼容SiC MOSFET和GaN HEMT，展现SiC MOSFET和/或GaN HEMT静态和动态的电热特性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种有源电力滤波器直流侧电压的控制方法及控制系统

当前第 / 件

基于改进FOSTER高频模型的EMI滤波器及其设计方法

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：93 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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