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本发明提供一种密封型箱式变电站仿真模型建立方法和流道设计方法，涉及密封型箱式变电站技术领域。获取运行时的密封型箱式变电站各个壁面的温度，根据获取到的温度生成壁面边界，并以壁面边界作为初始仿真模型中的边界条件。根据风机特征构建风机模型；根据密封型箱式变电站中的实际器件各自的电气特性确定热源；基于断路器电气特性以及断路器与软连接、总汇流排的连接关系，构建断路器模型；在加载风机模型和断路器模型的初始仿真模型中，设置密封型箱式变电站的材料参数，形成密封型箱式变电站仿真模型。本发明合理简化仿真模型，能精确计算变电站内部的流动传热情况。较为准确的模拟变电站内温度场与流场，指导变电站内部流道设计。

本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种铁电负电容晶体管的电路仿真模型及建模方法，包括基于漏极和源极的偏压计算源极面电荷密度和漏极面电荷密度，基于源极面电荷密度和漏极面电荷密度得到基准金属‑氧化物‑半导体‑场效应晶体管器件的沟道电流，计算MOSFET器件的栅极面电荷密度，基于栅极面电荷密度使用朗道‑哈拉特尼科夫方程进行计算，得到整个铁电器件的总栅压，基于沟道电流和总栅压构建整个铁电负电容晶体管的电路仿真模型。本发明所提出的电路仿真模型完全基于基本半导体器件物理方程，且具有显式的数学表达式，从而解决现有的建模方法精度较低和仿真速度慢的问题。

本发明提供一种兼容SiC MOSFET和GaN HEMT的模型及其仿真模型的创建方法，其中，上述模型包括第一模型和第二模型；第一模型包括：从漏极到源极之间串联受控电流源；受控电流源与第一电容并联；源极和栅极之间依次串联第一电阻和第二电容；第一电阻和漏极之间串联第三电容；第二模型包括：第一引脚，第一引脚与接地端之间串联有一损耗功率元件；第二引脚，第二引脚与损耗功率元件之间串联有热阻网络。本发明的有益效果在于：兼容SiC MOSFET和GaN HEMT，展现SiC MOSFET和/或GaN HEMT静态和动态的电热特性。

本发明实施例提供了路网仿真模型的构建方法、装置及电子设备，应用于交通仿真技术领域，该方法包括：基于交通场景的电警过车数据，确定每一目标车辆的连续行车路径；将各条连续行车路径传递给路网仿真软件，以使所述路网仿真软件在所述交通场景的静态路网仿真模型中，按照各条连续行车路径仿真运行多个仿真车辆；获取在仿真运行多个仿真车辆时，所述静态路网仿真模型所表征的所述交通场景的仿真状态信息；若所述仿真状态信息与所述目标交通状态信息的差异符合模型收敛条件，得到训练完成的路网仿真模型；否则，调整所述静态路网仿真模型中的交通动力学模型参数，并继续训练所述静态路网仿真模型。通过本方案，可以提高路网仿真模型的准确性。

本发明涉及芯片测试技术领域，尤其涉及一种芯片仿真模型的测试方法及系统。所述方法包括以下步骤：采集目标芯片仿真模型并进行时序补偿以生成抖动补偿数据，随后进行眼图重构以获取波形眼图数据，对波形数据进行幅度归一化和时序相位校正，得到净化对齐数据，通过正交映射处理和模态投影分析生成主模态数据，构建核空间数据并进行流形认知聚合以生成测试覆盖特征，对这些特征进行边界解析和密度分布分析，得到聚类边界数据，最后调优边界精度并执行自适应测试序列，生成测试用例结果。本发明实现了更高效的芯片仿真模型测试方法。

本实用新型公开了一种电穿孔仿真模型参数展示板，涉及电穿孔技术领域，包括支撑架，所述支撑架的内底壁转动连接有转杆，所述转杆的顶端固定有展示牌，所述展示牌的顶部设置有沿其顶部表面左右往复滑动的移动组件，所述移动组件与展示牌之间设置有用于对参数报告进行固定的固定组件，所述支撑架的一侧设置有复位组件；该电穿孔仿真模型参数展示板，通过在展示牌的顶部设置移动组件，使其可以适应不同尺寸的参数报告，从而对不同尺寸的参数报告进行固定，通过在移动组件的内部设置与展示牌前后贴合的固定组件，使得展示牌的两面均可固定参数报告，提高展示牌的利用率，防止造成浪费。

基于集总参数的心血管系统仿真模型，包括体循环子模型、肺循环子模型、心脏子模型、肺动脉瓣和主动脉瓣，心脏子模型中，左心房、左心室，右心房、右心室的游离壁均用依次串联的第一压力传感器、第二压力传感器、时变倒电容和电阻表示，心室中间的耦合壁的弹性用电容表示，左心房和左心室之间的二尖瓣用依次串联在左心房的电阻端和左心室的电阻端之间的电感、电阻和伯努利阻抗表示；右心房和右心室之间的三尖瓣用依次串联在右心房的电阻端和右心室的电阻端之间的伯努利阻抗、电阻和电感表示。本发明满足构造模型的基本原则,体现了心血管系统的细节特征,为心音信号的产生机理分析奠定了基础。