发明专利已授权

一种Ⅲ-Ⅴ族HEMT表面势基集约型模型的建模方法

📄 申请号：CN201510799707.8 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2015-11-19

公开号

CN105468828B

公开日

2018-10-19

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G06F17_50

IPC 分类号

G06F17_50

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件 HEMT器件建模器件仿真与EDA

应用场景

半导体器件仿真, 射频集成电路设计, 功率电子器件设计, 电子设计自动化, 高速通信芯片开发

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摘要

本发明公开一种Ⅲ‑Ⅴ族HEMT表面势基集约型模型的建模方法。该方法是首先建立Ⅲ‑Ⅴ族HEMT本征结构和非本征结构模型，结合器件的物理结构和行为机理，构建拓扑结构，再将建立的模型嵌入商用EDA工具；然后对实际耗尽型器件进行在片测试，获得器件的各种性能测试数据；最后对集约型模型进行验证。本发明解决了现有的器件电流、电荷方程无法积分、分段点不连续、无法用于非线性电路仿真等问题，通过求解表面势源头方程推导模型电流、电荷/电容方程的方法，解决现有物理模型存在的量子效应处理的物理问题和经典载流子传输方程与新效应联立自洽求解带来的数值算法问题；重新推导体电荷密度计算公式，解决了电荷模型中难以胶合问题。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种等离子体-交联复合改性高精度羊绒数码印花工艺

当前第 / 件

自动换取试样件的低温力学试验装置及方法

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