发明专利已授权

基于改进FOSTER高频模型的EMI滤波器及其设计方法

📄 申请号：CN202110504331.9 📄 发布日：2026/05/07

著录项目信息

申请日

2021-05-10

公开号

CN113364267B

公开日

2022-09-30

申请人

闽南理工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H02M1_44

IPC 分类号

H02M1_44

技术画像

所属领域

EMI滤波器 EMI滤波器电磁兼容高频电路建模

应用场景

电子设备电磁兼容, 开关电源, 通信设备, 工业自动化, 消费电子

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摘要

本发明公开了一种基于改进FOSTER高频模型的EMI滤波器及其设计方法，涉及电力技术应用领域，其中EMI滤波器包括：火线支路和零线支路，在所述火线支路和所述零线支路上连接多个X电容组、多个Y电容组和多个共模电感，其中，X电容组跨接在所述火线支路和所述零线支路之间，Y电容组跨接在所述火线支路和所述零线支路之间，共模电感跨接在所述火线支路和所述零线支路之间。采用上述技术方案，由于采用改进型Foster网络串联模型结构，使得EMI滤波器在测试时中扼流圈的电感值减小的同时，还能使寄生电容显著减小，使得扼流圈的阻抗高频特性得到改善，实现EMI滤波器在全频段均能有效实现电磁干扰的抑制。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

兼容SiC MOSFET和GaN HEMT的模型及其仿真模型的创建方法

当前第 / 件

一种逆变器驱动供电电源EMC性能提升系统及提升方法

同领域国内专利 · IPC: (H02M1_44)

H02M1_00 H02M1_08 H02M1_088 H02M1_092 H02M1_10 H02M1_12 H02M1_14 H02M1_15 H02M1_32 H02M1_34 H02M1_36 H02M1_38 H02M1_42 H02M1_44 覆盖14个领域

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