发明专利已授权

一种带有底电极的超四方相铁酸铋薄膜材料的制备方法

📄 申请号：CN202111493069.9 📄 发布日：2026/05/07

著录项目信息

申请日

2021-12-08

公开号

CN114182211B

公开日

2023-11-21

申请人

电子科技大学长三角研究院(湖州)

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C14_28

IPC 分类号

C23C14_28 , C23C14_08 , C23C14_54 ,

技术画像

所属领域

铁电材料铁电材料薄膜制备铁酸铋材料

应用场景

铁电存储器, 非易失存储器, 压电器件, 传感器, 微电子器件

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摘要

本发明属于铁酸铋薄膜技术领域，公开了一种带有底电极的超四方相铁酸铋薄膜材料的制备方法，带有底电极的超四方相铁酸铋薄膜材料的制备方法包括：利用镍酸镧作为底电极材料，在四方相铁酸铋和铝酸镧之间引入底电极，制备复合膜。本发明通过引入较薄的镍酸镧层作为底电极，为超四方相铁酸铋的应用提供更多空间，而且不含环境污染型材料，贵金属，适于大规模使用。本发明以铝酸镧，采用镍酸镧作为底电极材料，实现了带有底电极的超四方相铁酸铋薄膜的制备，制备过程简单，材料不太昂贵，效果较好。本发明采用镍酸镧作为铁电薄膜的底电极可以极大程度增强铁电薄膜器件的抗疲劳特性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种自支撑二维硒氧化物纳米片阵列及其制备方法

当前第 / 件

一种具有二维电子气的单晶薄膜及其制备方法

同领域国内专利 · IPC: (C23C14_28)

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