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一种自支撑二维硒氧化物纳米片阵列及其制备方法

Name: 一种自支撑二维硒氧化物纳米片阵列及其制备方法
Brand: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
SKU: 2021114930792
Availability: InStock

📄 申请号：CN202111493079.2 📄 发布日：2026/09/04

著录项目信息

申请日

2021-12-08

公开号

CN114197051B

公开日

2024-03-15

申请人

电子科技大学长三角研究院(湖州)

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B29_46

IPC 分类号

C30B29_46 , C30B25_02 , C30B33_00 , B82Y40_00 , B82Y30_00 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

电催化, 储能器件, 化学传感器, 电子器件

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摘要

本发明公开了一种自支撑二维硒氧化物晶体阵列的制备方法，属于半导体材料技术领域。其包括以下步骤：采用硒化铋粉末作为硒化材料置于管式炉上游低温区，利用低温蒸发将其气化，通过载气氩气把硒化铋带到中心高温区与氧化铋进行气相化学反应并沉积到下游低温区氯化钠单晶衬底，形成外延取向一致的二维硒氧化铋晶体阵列。随后通过在材料表面旋涂有机聚合物并加热，待其固化后在去离子水中将氯化钠单晶衬底溶解，获得粘有自支撑二维硒氧化铋阵列的有机聚合物膜并可以转移到其他衬底上去。本发明方法解决了二维硒氧化物纳米片阵列的制备问题和之后的转移问题，有望将这种新兴材料应用于柔性器件，发展到可穿戴设备上，具有广阔的应用前景。

常见问题

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种应对欺骗网络攻击的微电网控制器的控制方法

当前第 / 件

一种带有底电极的超四方相铁酸铋薄膜材料的制备方法

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