发明专利已授权

具有表面非周期光栅图案的发光二极管及其制备方法

📄 申请号：CN202011542840.2 📄 发布日：2025/12/19

著录项目信息

申请日

2020-12-23

公开号

CN112670381A

公开日

2021-04-16

申请人

武汉大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L33_14

IPC 分类号

H01L33_14 , H01L33_20 , H01L33_32 , H01L33_06 , H01L33_00 ,

技术画像

所属领域

发光二极管发光二极管半导体光电器件微纳光学结构

应用场景

半导体照明, 显示背光, 汽车照明, 可见光通信

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摘要

本发明公开了一种具有表面非周期光栅图案的发光二极管及其制备方法。发光二极管包括：蓝宝石衬底、GaN缓冲层、u型GaN层、n型AlGaN层、n型GaN层、InGaN/GaN超晶格层、InGaN/GaN多量子阱层、双层AlGaN结构和p型GaN层；其中：p型GaN层表面具有非周期光栅图案结构，由若干条沟槽构成，以p型GaN层正中间的沟槽为界两边对称分布，沟槽间距由中间向两端递减，减小到某个值后保持不变；双层AlGaN结构由p型AlGaN层、低温p型GaN层和p型AlGaN层组成。发光二极管表面的非周期光栅图案结构改变了发光二极管的近场和远场光分布，提高了芯片的发光强度和光线准直度。

权利要求书 (12项) 说明书附图

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图1

图2

图3

法律状态时间线

含氮单齿配体及C^N双齿配体的铂(II)配合物的磷光聚集诱导发光材料

当前第 / 件

一种气体净化设备防爆控制装置

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