咨询电话:13280638997
传真:0533-3110363
邮箱:kefu@shizifang.com
著 录 项 目:
专利/申请号: | CN202310078981.0 | 专利名称: | 一种半导体器件制备方法 |
申请日: | 2023-02-08 | 申请/专利权人 | 赵君超 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 河北省石家庄市栾城区窦妪镇北赵村平安街1排2号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C23C16/455 分类检索 |
公开/公告日: | 2023-05-23 | 转让价格: | 【平台担保交易】 |
公开/公告号: | CN116145108A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
浏览量: | 13 | 所属领域: | 半导体专利转让搜索 |
摘 要:本发明属于半导体制备技术领域,尤其涉及一种半导体器件制备方法,包括以下步骤:步骤一:将处理装置与射频匹配器连通;步骤二:使多根能够通入不同成膜气体的管道与处理装置连接;步骤三:使用多根管道向处理装置内通入成膜气体;步骤四:使用处理装置对成膜气体进行均匀混合,并对成膜气体进行过筛;步骤五:从处理装置排出的成膜气体进入射频匹配器内,射频匹配器对成膜气体进行电离;步骤六:经过电离后的成膜气体沉积在晶圆上形成半导体,所述处理装置包括处理盒,处理盒内固接有连杆,连杆上转动连接有扇叶,处理盒内固接有滤板,处理盒上转动连接有转杆,能够在对气体进行混合过程中监测设备运行情况,及时发现设备故障。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
2023208646350 | 【实用新型】一种MPCVD设备基片台 | 2025/08/11 |
2023205888409 | 【实用新型】一种MPCVD设备用支撑装置 | 2025/08/11 |
2023204220842 | 【实用新型】一种MPCVD设备用控温装置 | 2025/08/11 |
2023203062165 | 【实用新型】一种MPCVD腔合成后表面杂质去除装置 | 2025/08/11 |
2019212281150 | 【实用新型】一种用于化学气相沉积设备的馈通装置 | 2025/08/11 |
2022110312767 | 【发明】一种卧式热丝CVD设备 | 2025/08/04 |
2019108500249 | 【发明】一种N型单晶异质结太阳能电池薄膜沉积装备及其沉积方法 | 2025/08/04 |
2023100789810 | 【发明】一种半导体器件制备方法 | 2025/08/19 |
2022226362121 | 【实用新型】电池硅片薄膜沉积设备 | 2025/07/25 |
2020209305294 | 【实用新型】一种用CVD法制备镀层的反应炉 | 2025/06/27 |