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| 专利/申请号： | CN202210728587.2 | 专利名称： | 一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 |
| 申请日： | 2022-06-24 | 申请/专利权人 | 电子科技大学中山学院 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 广东省中山市石岐区学院路1号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | C23C16/30 分类检索 |
| 公开/公告日： | 转让价格： | 【平台担保交易】 | |
| 公开/公告号： | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 | |
| 浏览量： | 28 | 所属领域： | 专利转让搜索 |
摘 要：本申请适用半导体材料技术领域，提供了二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜，包括：将硫源和钼源置于加热装置内，于常压条件下保持10‑50sccm的惰性气体流量，分别对硫源和钼源进行加热处理2‑20min以进行化学气相沉积反应，得二硫化钼薄膜；其中，硫源放置于刚玉舟内；钼源放置于石英舟上且在石英舟内放置惰性耐高温垫片，并在垫片上方放置玻璃基底。本申请采用惰性耐高温材质作为垫片辅助玻璃衬底生长单晶体二硫化钼或者大尺寸二硫化钼连续膜，能够杜绝多余钼源供给及其他的杂质引入，能极大减小干扰因素，其良好的亲水性亦能极大地铺展熔融玻璃，提高化学气相沉积反应，能够实现高质量大单晶低成本二硫化钼半导体薄膜制备。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2025/07/25 | 专利权的转移 | 登记生效日: 2025.07.09 专利权人由电子科技大学中山学院变更为深圳立专信息科技有限公司 国家或地区由中国变更为中国 地址由528400 广东省中山市石岐区学院路1号变更为518000 广东省深圳市龙华区大浪街道高峰社区华荣路39号科源商务大厦康瑞时代广场509 |
| 2023/07/07 | 授权 | |
| 2022/10/04 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C23C 16/30 专利申请号: 202210728587.2 申请日: 2022.06.24 |
| 2022/09/16 | 公开 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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