实用新型已授权

一种碳化硅级半导体烧结后冷却装置

📄 申请号：CN202021940774.X 📄 发布日：2025/10/15

著录项目信息

申请日

2020-09-08

公开号

CN212783387U

公开日

2021-03-23

申请人

济南鲁晶半导体有限公司

法律状态

已下证

专利类型

实用新型

主分类号

H01L21_67

IPC 分类号

H01L21_67

技术画像

所属领域

半导体制造设备半导体制造设备碳化硅半导体材料热处理与冷却技术

应用场景

半导体晶圆制造, 碳化硅衬底制备, 功率半导体器件生产, 集成电路制造, 电子元器件热处理

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摘要

本实用新型公开一种碳化硅级半导体烧结后冷却装置，包括制冷系统、冷风传输系统和传动系统，冷风传输系统包括铜管、铜管布置箱体和轴流风机，传动系统包括电机、主动传送轮、从动传动轮、传送皮带，传送皮带连接在主动传送轮和从动传送轮之间，主动传送轮与电机输出轴相连；铜管布置箱体位于传送皮带上方，轴流风机设置在铜管布置箱体朝向传送皮带的一面，铜管两端与制冷系统相连，铜管主体设置于铜管布置箱体内。本实用新型代替现有自然冷却风干方式，用于烧结后碳化硅二、三极管的快速冷却，提高产能，减少自然冷却的时间。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种碳化硅级三极管框架热表面处理试验装置

当前第 / 件

一种线路板元器件打磨拆卸装置

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：75 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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