一种同时优化击穿特性和反向特性的GaNHEMT器件及其制作工艺

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摘     要：本发明公开一种同时优化击穿特性和反向特性的GaN HEMT器件，涉及半导体器件领域，包括GaN缓冲层、AlGaN势垒层、栅极电极、栅下氧化层、源极电极、源极场板、反向二极管氧化层、Al2O3插入层、SiO2插入层、漏极电极、漏极场板、以及Si3N4钝化层。MIS结构的反向二极管将栅极包围，使栅极电场被有效屏蔽，减小了栅极漏电流，降低了栅极被击穿的风险，将栅下峰值电场右移至MIS反向二极管氧化层处。复合双插入层将位于MIS反向二极管氧化层处的峰值电场进一步右移至漏极侧，有效保护了反向二极管。通过漏极场板，将漏极侧峰值电场拉高至钝化层中，减小器件半导体体材料内部的电场，有效降低器件的漏电流，提升器件的击穿特性。

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

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