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| 专利/申请号： | CN202011470924.X | 专利名称： | 一种同时优化击穿特性和反向特性的GaNHEMT器件及其制作工艺 |
| 申请日： | 2020-12-15 | 申请/专利权人 | 南京工业职业技术大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 江苏省南京市秦淮区中山东路532-2号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | H01L29/06 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2021-11-30 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN112466928B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 63 | 所属领域： | 半导体专利转让搜索 |
摘 要：本发明公开一种同时优化击穿特性和反向特性的GaN HEMT器件，涉及半导体器件领域，包括GaN缓冲层、AlGaN势垒层、栅极电极、栅下氧化层、源极电极、源极场板、反向二极管氧化层、Al2O3插入层、SiO2插入层、漏极电极、漏极场板、以及Si3N4钝化层。MIS结构的反向二极管将栅极包围，使栅极电场被有效屏蔽，减小了栅极漏电流，降低了栅极被击穿的风险，将栅下峰值电场右移至MIS反向二极管氧化层处。复合双插入层将位于MIS反向二极管氧化层处的峰值电场进一步右移至漏极侧，有效保护了反向二极管。通过漏极场板，将漏极侧峰值电场拉高至钝化层中，减小器件半导体体材料内部的电场，有效降低器件的漏电流，提升器件的击穿特性。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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