一种GaN HEMT器件应用于高频电路中的俘获效应消除方法

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摘     要：本发明公开一种GaN HEMT器件应用于高频电路中的俘获效应消除方法，涉及氮化镓基第三代宽禁带半导体领域，首次提出在后端高频电路应用中来实现，解决目前在前端外延和器件设计中无法实现消除俘获效应的难题。该方法采用新型的拓扑电路控制方式，控制方式的核心是采用分频工作模式与平均输出控制技术。该控制方式充分利用GaN HEMT器件的高频工作优势，通过减小器件单次关断时间，使其小于器件中电子俘获所需的时间，实现消除器件的俘获效应。

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

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