发明专利已授权

一种复合相变薄膜材料（Si/GeSbTe/Si）

📄 申请号：CN201810920682.6 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2015-12-14

公开号

CN109055906A

公开日

2018-12-21

申请人

江苏理工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C14_35

IPC 分类号

C23C14_35 , C23C14_14 , C23C14_06 , H01L45_00 ,

技术画像

所属领域

相变存储材料相变存储材料薄膜材料半导体器件

应用场景

相变存储器, 半导体存储芯片, 电子器件, 光存储

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摘要

本发明公开了一种复合相变薄膜材料（Si/Ge2Sb2Te5/Si）n，由10组Si/Ge2Sb2Te5/Si复合薄膜单元组成，每一组复合薄膜单元包括两层Si纳米薄膜和一层Ge2Sb2Te5纳米薄膜，Ge2Sb2Te5薄膜的两侧表面由Si薄膜完全包覆。本发明复合相变薄膜材料利用了Si‑Ge2Sb2Te5界面效应与应力调控相变特性，使用的Si纳米薄膜具有相对较高的热胀系数，其在升温过程中对Ge2Sb2Te5提供一个张应力，并在Ge2Sb2Te5相变时阻碍其结构的收缩，从而能显著调控Ge2Sb2Te5的相变温度和相变速率，能够实现结晶温度、结晶速率、热稳定性、数据保持力的调控，同时可以调控晶态电阻。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20201009

✅ 授权

20190115

?? 实质审查的生效：

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