本发明涉及微电子材料领域，具体涉及一种用于相变存储器的Mg‑Sn‑Sb薄膜材料及其制备方法。所述Mg‑Sn‑Sb的结构通式为MgxSnySbz，其中x+y+z＝100，0.1
📄 2019101943195
📂 H10B63_10
👤 江苏理工学院
📅 2019-03-14
本发明公开了一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法，材料的化学组成通式为（Ge10Sb90）xN1‑x，其中x=0.68、0.63、0.60。本发明的制备方法通过控制磁控溅射时通入的氮气流量来控制GeSb基掺氮纳米薄膜材料中氮元素的含量，氮元素的含量能够得到精确的控制。
📄 2017107553409
📂 H01L45_00
👤 江苏理工学院
📅 2015-02-09
本发明公开了一种用于高速低功耗相变存储器的Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料，为多层复合膜结构，由Ga40Sb60层和Sb层交替沉积复合而成，将Ga40Sb60层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的Ga40Sb60层沉积在前一个交替周期的Sb层上方。本发明的Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料利用超晶格结构中多层界面的夹持效应，减小晶粒尺寸，从而缩短结晶时间，抑制晶化，使材料在提高热稳定性的同时加快相变速度；并且Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料在相变过程中体积改变小，这就保证了相变层与电极材料之间良好的接触，最终提高相变存储器件的稳定性和可靠性。
📄 2015103173134
📂 H01L45_00
👤 江苏理工学院
📅 2015-06-10
本发明公开了一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法，化学组成通式为（Ge10Sb90）xN1‑x，其中x=0.50～0.90。与传统的Ge2Sb2Te5相变薄膜材料相比，本发明的GeSb基掺氮纳米薄膜材料具有较快的晶化速度，能够大大提高PCRAM的存储速度；另外GeSb基掺氮纳米薄膜材料具有较高的晶化温度和激活能，从而能够极大的改善PCRAM的稳定性。
📄 2015100677007
📂 H01L45_00
👤 江苏理工学院
📅 2015-02-09
本发明提供了一种稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜及其制备方法，所述稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜的组分表达式为Erx(GeiSbj)y，x、y都为原子百分比，其中0＜x≤0.10，0.90＜y≤1，x+y＝1.00，i＝10，j＝90。本发明具有相变速度快、热稳定性好、数据保持力好、低功耗的特点，可以应用于相变存储器和相变显示器等。
📄 2016106203738
📂 H01L45_00
👤 江苏理工学院
📅 2016-07-30
本发明涉及纳米材料技术领域，涉及一种GeTe/Ge类超晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用。本发明的材料包括碲化锗薄膜材料和单质锗薄膜材料，二者通过磁控溅射法进行纳米量级的交替叠加，形成类超晶格结构。本发明的材料的结构通式为[GeTe(a)/Ge(b)]x，其中：a表示单层GeTe薄膜的厚度(nm)，并且1≤a≤50；b表示单层Ge薄膜的厚度(nm)，并且1≤b≤13；x表示单层GeTe薄膜和单层Ge薄膜的交替周期数，并且x为任一正整数。本发明的材料具有较快的相变速度、较好的热稳定性以及较低的操作功耗，适合于制备高速、高稳定性、低功耗的相变存储器，极具市场前景。
📄 2016108891713
📂 H01L45_00
👤 江苏理工学院
📅 2016-10-11
本发明公开了一种复合相变薄膜材料（Si/Ge2Sb2Te5/Si）n及其制备方法，由n组Si/Ge2Sb2Te5/Si复合薄膜单元组成，每一组复合薄膜单元包括两层Si纳米薄膜和一层Ge2Sb2Te5纳米薄膜，Ge2Sb2Te5薄膜的两侧表面由Si薄膜完全包覆。本发明的复合相变薄膜材料利用了Si‑Ge2Sb2Te5界面效应与应力调控相变特性，使用的Si纳米薄膜具有相对较高的热胀系数，其在升温过程中对Ge2Sb2Te5提供一个张应力，并在Ge2Sb2Te5相变时阻碍其结构的收缩，从而能显著调控Ge2Sb2Te5的相变温度和相变速率，能够实现结晶温度、结晶速率、热稳定性、数据保持力的调控，同时可以调控晶态电阻。
📄 2015109235844
📂 C23C14_35
👤 江苏理工学院
📅 2015-12-14
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