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摘 要:本发明公开了一种复合相变薄膜材料(Si/Ge2Sb2Te5/Si)n的制备方法,采用磁控溅射法制备,薄膜材料由10组Si/Ge2Sb2Te5/Si复合薄膜单元组成,每一组复合薄膜单元包括两层Si纳米薄膜和一层Ge2Sb2Te5纳米薄膜。本发明的复合相变薄膜材料利用了Si‑Ge2Sb2Te5界面效应与应力调控相变特性,使用的Si纳米薄膜具有相对较高的热胀系数,其在升温过程中对Ge2Sb2Te5提供一个张应力,并在Ge2Sb2Te5相变时阻碍其结构的收缩,从而能显著调控Ge2Sb2Te5的相变温度和相变速率,能够实现结晶温度、结晶速率、热稳定性、数据保持力的调控,同时可以调控晶态电阻。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810920701.5 | 专利名称: | 一种复合相变薄膜材料(Si/Ge2Sb2Te5/Si)n的制备方法 |
申请日: | 2015-12-14 | 申请/专利权人 | 江苏理工学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省常州市钟楼区中吴大道1801号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C23C14/06搜分类 塑料搜索 |
公开/公告日: | 2020-12-04 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN108823530B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |