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全部 发明 实用新型 外观设计
法律状态： 全部 已授权 审中
项目申报： 全部 报过 没有报过
共 9 件在售专利
一种组成可控的铜锌锡薄膜材料和铜锌锡硫基太阳能电池及其两者的制备方法
发明 已授权
本发明一种铜锌锡薄膜材料的制备方法，步骤如下：1)铜锌锡薄膜材料含有至少铜、锌和锡三种主体金属元素；电镀液中含有任意两种主体金属元素；添加液含有第三种主体金属元素；2)在电镀液中有至少一个导电电极作为第一电极，待镀薄膜衬底作为第二电极；3)在第一电极和第二电极间通电时，控制速率加入添加液，即开始同时沉积含铜、锌和锡三种金属的薄膜，得到表面沉积铜锌锡金属薄膜的衬底；即为本发明铜锌锡薄膜材料。本发明一种铜锌锡硫基太阳能电池的制备方法，在步骤4)之后，在铜锌锡薄膜材料上依次沉积硫化镉缓冲层和ZnO薄膜以及ITO薄膜或AZO薄膜后得到本发明铜锌锡硫基太阳能电池。
📄 2014103537155 📂 C25D3_56 👤 陕西师范大学 📅 2014-07-23
¥0.0 元
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一种柔性V2O5/Ge2Sb2Te5纳米多层相变薄膜材料及其制备方法
发明 已授权
本发明涉及一种柔性V2O5/Ge2Sb2Te5纳米多层相变薄膜材料及其制备方法，本发明材料是多层复合膜结构，由V2O5层和Ge2Sb2Te5层交替沉积在柔性基层材料上，将Ge2Sb2Te5层和V2O5层作为一个交替周期，后一个交替周期的Ge2Sb2Te5层沉积在前一个交替周期的V2O5层上方。由于材料沉积在柔性基层材料上表现出较好的塑性形变特性，在柔性存储应用中有巨大潜力；在拉伸量为5.62％材料发生弯折的情况下仍具有明显的非晶态-晶态可逆相变过程及较快的相变速度、较好的热稳定性、较高的数据保持能力，适用于高温环境下的数据存储；该材料的相变性能可通过加入的V2O5层厚度以及周期数进行有效调控。
📄 2019101461489 📂 H01L45_00 👤 江苏理工学院 📅 2019-02-27
¥0.0 元
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一种Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜材料及其制备方法和应用
发明 已授权
本发明涉及一种Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜材料及其制备方法和应用，由Ti金属层和Sb金属层在基层材料上交替沉积复合而成，将Ti金属层和Sb金属层作为一个交替周期；膜结构表达通式为：[Tix/Sby]a，其中x为单层Ti金属层的厚度且1nm≤x＜10nm；y为单层Sb金属层的厚度且1nm≤y＜10nm；a为Ti金属层和Sb金属层的交替周期数且2≤a＜10；x、y、a满足40nm≤(x+y)×a≤60nm，其中(x+y)×a代表所述总膜厚；采用磁控溅射法制得。本发明的Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜材料具有较好的热稳定性及较高的数据保持能力。
📄 2020114934159 📂 H01L45_00 👤 江苏理工学院 📅 2020-12-17
¥0.0 元
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一种铁基氢氧化物赝电容薄膜材料的原位制备方法
发明 已授权
一种铁基氢氧化物赝电容薄膜材料的原位制备方法，其主要步骤包括：(1)将金属铁基体清洗除尘、除油以获得清洁的铁表面；(2)配置原位制备所用的电解质溶液，溶剂为去离子水，溶质的成分为金属碱，添加剂为碱金属氯化物；(3)将清洗干净的铁基体作为工作电极浸入电解质溶液，并将石墨电极作为对电极一并加入到电解质溶液，通过常规的电化学氧化‑还原技术即恒电流阶跃或脉冲电压阶跃对铁基体表面进行持续活化对铁电极进行循环活化，即可在铁基体表面获得一层具有高赝电容活性的铁基氢氧化物薄膜材料。本发明原材料廉价，工艺简单，易于操作，生产成本低，所制备薄膜产品的电化学赝电容储能活性高，适合工业化大生产。
📄 2017110304740 📂 C25D11_34 👤 燕山大学 📅 2017-10-30
¥0.0 元
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一种新型薄膜
实用新型 已授权
本实用新型公开了一种新型薄膜，包括薄膜本体，所述薄膜本体包括基层，所述基层的表面固定连接有加强层，所述加强层的表面固定连接有抗穿刺层，所述抗穿刺层的表面固定连接有耐高温层，所述耐高温层的表面固定连接有功能层，所述功能层包括防辐射层，所述防辐射层的表面固定连接有抗紫外线层，所述抗紫外线层的表面固定连接有耐老化层。本实用新型通过薄膜本体、基层、加强层、抗穿刺层、耐高温层、功能层、防辐射层、抗紫外线层、耐老化层、抗划层和防静电层的配合使用，解决了现有技术薄膜使用强度较差，受尖锐物质挤压后易发生损坏，且易发生老化，导致其使用寿命降低，从而降低了薄膜实用性的问题。
📄 2023218259693 📂 B32B27_32 👤 浙江诚远包装印刷有限公司 📅 2023-07-12
¥0.0 元
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一种Sb70Se30/SiO2多层纳米复合相变薄膜材料及其制备方法和应用
发明 已授权
本发明涉及纳米材料技术领域，涉及一种Sb70Se30/SiO2多层纳米复合相变薄膜材料及其制备方法和应用。本发明的材料包括Sb70Se30薄膜材料和SiO2薄膜材料，结构通式为[(Sb70Se30)(a)/(SiO2)(b)]n，其中：a表示单层Sb70Se30薄膜的厚度(nm)，并且1≤a≤10；b表示单层SiO2薄膜的厚度(nm)，并且1≤b≤5；n表示单层Sb70Se30薄膜和单层SiO2薄膜的交替周期数，并且n为任一正整数。本发明的Sb70Se30/SiO2多层纳米复合相变薄膜材料具有较快的相变速度、较好的热稳定性以及较低的操作功耗。
📄 2016108514110 📂 H01L45_00 👤 江苏理工学院 📅 2016-09-26
¥0.0 元
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稀土掺杂Sb基相变薄膜材料及薄膜制备方法
发明 已授权
本发明公开了一种稀土掺杂Sb基相变薄膜材料及薄膜制备方法，稀土掺杂Sb基相变薄膜材料的化学分子式为SbxAy；其中0
📄 2015108763744 📂 H01L45_00 👤 江苏理工学院 📅 2015-12-03
¥0.0 元
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一种复合相变薄膜材料（Si/GeSbTe/Si）的制备方法
发明 已授权
本发明公开了一种复合相变薄膜材料（Si/Ge2Sb2Te5/Si）n的制备方法，采用磁控溅射法制备，薄膜材料由10组Si/Ge2Sb2Te5/Si复合薄膜单元组成，每一组复合薄膜单元包括两层Si纳米薄膜和一层Ge2Sb2Te5纳米薄膜。本发明的复合相变薄膜材料利用了Si‑Ge2Sb2Te5界面效应与应力调控相变特性，使用的Si纳米薄膜具有相对较高的热胀系数，其在升温过程中对Ge2Sb2Te5提供一个张应力，并在Ge2Sb2Te5相变时阻碍其结构的收缩，从而能显著调控Ge2Sb2Te5的相变温度和相变速率，能够实现结晶温度、结晶速率、热稳定性、数据保持力的调控，同时可以调控晶态电阻。
📄 2018109207015 📂 C23C14_06 👤 江苏理工学院 📅 2015-12-14
¥0.0 元
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一种磁感应压电陶瓷薄膜材料及制备方法
发明 已授权
本发明提供一种磁感应压电陶瓷薄膜材料及制备方法，首先将压电陶瓷粉通过涂布方法制备成膜，然后在膜面涂布柔性连接材料，进一步在表面涂布磁致伸缩材料，从而形成磁感应压电传感薄膜材料。该传感薄膜材料在外界磁场发生变化时，磁致伸缩材料发生微小形变，通过柔性连接材料，将这种应变传输给压电陶瓷材料，从而使压电陶瓷快速响应转化成电信号。该材料克服了压电材料机械品质因子较低、电损耗较大、稳定性差、反应敏感性较低的问题，具有电磁响应速度快，柔性易贴合，适合于在大型复杂的异形结构工件表面铺设，方便快速测量表面磁场情况。
📄 2017102564407 📂 C08J7_04 👤 台州科金中高技术转移有限公司 📅 2017-04-19
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发明 已授权

一种组成可控的铜锌锡薄膜材料和铜锌锡硫基太阳能电池及其两者的制备方法

2014103537155 · 陕西师范大学
¥0.0 元
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发明 已授权

一种柔性V2O5/Ge2Sb2Te5纳米多层相变薄膜材料及其制备方法

2019101461489 · 江苏理工学院
¥0.0 元
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发明 已授权

一种Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜材料及其制备方法和应用

2020114934159 · 江苏理工学院
¥0.0 元
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发明 已授权

一种铁基氢氧化物赝电容薄膜材料的原位制备方法

2017110304740 · 燕山大学
¥0.0 元
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实用新型 已授权

一种新型薄膜

2023218259693 · 浙江诚远包装印刷有限公司
¥0.0 元
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发明 已授权

一种Sb70Se30/SiO2多层纳米复合相变薄膜材料及其制备方法和应用

2016108514110 · 江苏理工学院
¥0.0 元
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发明 已授权

稀土掺杂Sb基相变薄膜材料及薄膜制备方法

2015108763744 · 江苏理工学院
¥0.0 元
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发明 已授权

一种复合相变薄膜材料（Si/GeSbTe/Si）的制备方法

2018109207015 · 江苏理工学院
¥0.0 元
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发明 已授权

一种磁感应压电陶瓷薄膜材料及制备方法

2017102564407 · 台州科金中高技术转移有限公司
¥0.0 元
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