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摘 要:本实用新型公开了一种发光二极管,发光二极管包括依次层叠的硅衬底、缓冲层、非故意掺杂层、氮化镓复合层、多量子阱发光层、电子阻挡层以及第一氮化镓层;其中,氮化镓复合层包括依次层叠的第二氮化镓层、氮化铝镓层、第三氮化镓层以及第四氮化镓层,上述发光二极管结构中通过设置氮化镓复合层包括依次层叠的第二氮化镓层、氮化铝镓层、第三氮化镓层以及第四氮化镓层,可有效改善氮化镓复合层中氮化镓的电子迁移、减少漏电通道,从而提高发光二极管的抗静电能力和反向漏电能力。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202320098391.X | 专利名称: | 发光二极管 |
申请日: | 2023-02-01 | 申请/专利权人 | 广州市众拓光电科技有限公司 |
专利类型: | 实用新型 | 地址: | 广东省广州市黄埔区开源大道136号B2栋1103室 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L33/02搜分类 电子设备和元器件搜索 |
公开/公告日: | 2023-08-29 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN219610461U | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |