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| 专利/申请号： | CN202111014531.2 | 专利名称： | 源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管及制造方法 |
| 申请日： | 2021-08-31 | 申请/专利权人 | 沈阳工业大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 辽宁省沈阳市铁西区经济技术开发区沈辽西路111号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L29/788 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2023-10-20 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN113764531B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 8 | 所属领域： | 半导体器件 集成电路制造 隧道晶体管 编程晶体管 金属 半导体接触 芯片 断电编程导电保持 数字逻辑电路 源漏电极辅助 双向开关传输专利转让搜索 |
应用场景：低功耗逻辑电路优化;高频信号处理模块;智能传感器接口电路;柔性电子设备开发;物联网边缘计算节点
摘 要：本发明提出一种源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管及制造方法，对比现有技术，无需额外供电的编程栅，仅通过单个栅电极即可实现对其开关控制功能，简化了单元结构的复杂度，易于单元结构互连和集成度的提升。本发明所述的源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管，位于编程隧穿层以下区域具有左右对称的结构特征，可互换电极a和可互换电极b可彼此互换，实现本发明的双向开关传输功能。利用对漏电极和源电极之间施加电势差对本发明提出的源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管的可编程浮栅进行编程，在断电下可依然可以长时间记录保持导电类型。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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