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| 专利/申请号： | CN201310104481.6 | 专利名称： | 一种基于氮氧化铪低功耗阻变存储器及其制备方法 |
| 申请日： | 2013-03-28 | 申请/专利权人 | 天津理工大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 天津市西青区宾水西道391号天津理工大学主校区 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L45/00 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2015-02-18 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN103151459B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 103 | 所属领域： | 低 港口 低功耗专利转让搜索 |
摘 要：一种基于氮氧化铪低功耗阻变存储器及其制备方法，由氧化硅片衬底、Ti粘附层、下电极、阻变层和上电极依次叠加构成，其中阻变层为氮氧化铪薄膜和金属铪薄膜的叠层结构；其制备方法是分别通过磁控溅射、离子束溅射或电子束蒸发方法依次制备各层薄膜。本发明的优点是：该阻变存储器采用氮氧化铪和金属铪薄膜的叠层结构作为阻变层，set过程时氮氧化铪中的氮抑制了过渡的氧空位的产生，提高了低阻态的电阻，降低了器件的reset电流，降低了器件的功耗。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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