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摘 要:一种基于P/N型氧化物叠层结构的阻变存储器,由下电极、阻变转换层和上电极构成,阻变转换层为改性的PN型氧化物叠层结构,P/N型氧化物叠层厚度<200nm,掺杂浓度<5at.%。本发明的优越性在于采用P/N型氧化物叠层结构,克服了由于金属良好的导热性能而导致的高Reset电流,采用P/N型氧化物叠层结构,降低了Reset电流,减小了RRAM器件的功耗。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201010593332.7 | 专利名称: | 基于P/N型氧化物叠层结构的阻变存储器及其制备方法 |
申请日: | 2010-12-17 | 申请/专利权人 | 天津理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 天津市南开区红旗南路延长线天津理工大学主校区 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L45/00搜分类 P 港口搜索 |
公开/公告日: | 2013-07-10 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN102130297B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |