基于P/N型氧化物叠层结构的阻变存储器及其制备方法

著 录 项 目：

摘     要：一种基于P/N型氧化物叠层结构的阻变存储器，由下电极、阻变转换层和上电极构成，阻变转换层为改性的PN型氧化物叠层结构，P/N型氧化物叠层厚度＜200nm，掺杂浓度＜5at.％。本发明的优越性在于采用P/N型氧化物叠层结构，克服了由于金属良好的导热性能而导致的高Reset电流，采用P/N型氧化物叠层结构，降低了Reset电流，减小了RRAM器件的功耗。

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期

  法律信息

  备注

• 申请号	专利名称	发布日期
  2016107940924	【发明】一种掺氮改性的相变薄膜材料及其制备方法	2025/04/21
  201511030291X	【发明】用于相变存储器的铒掺杂Sn15Sb85基相变薄膜材料及薄膜制备方法	2025/04/21
  2016107888465	【发明】氮掺杂改性的相变薄膜材料及其制备方法	2025/04/21
  2017107673843	【发明】一种用于相变存储器的Al/Ge10Sb90类超晶格相变薄膜材料及制备方法	2025/04/21
  2017112952697	【发明】一种环境友好型Sn-Sb-Ti纳米复合相变薄膜及其制备方法	2025/04/21
  2017107553409	【发明】一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法	2025/04/21
  2015103173134	【发明】用于高速低功耗相变存储器的Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法	2025/04/21
  2015100677007	【发明】用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法	2025/04/21
  2016106203738	【发明】稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜及其制备方法	2025/04/21
  2016108891713	【发明】一种GeTe/Ge类超晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用	2025/04/21