发明专利已授权

一种N型横向器件及制备方法

📄 申请号：CN202510281431.8 📄 发布日：2026/08/18

著录项目信息

申请日

2025-03-11

公开号

CN119789486A

公开日

2025-04-08

申请人

南京信息工程大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10D30_65

IPC 分类号

H10D30_65 , H10D62_10 , H10D30_01 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

集成电路, 电源管理, 功率电子, 射频放大器, 汽车电子

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摘要

本发明公开了一种N型横向器件及制备方法，该器件在传统横向双扩散金属氧化物半导体基础上，增设另一组栅极与电流通路，通过下多晶硅栅与上多晶硅栅协同控制，形成两条并联的源漏电流通路；同时在N—硅层內嵌入一个浮置P型硅层，在相同击穿电压下，可以提高N—硅层的掺杂浓度，从而进一步降低器件的导通电阻。制备方法中利用Si‑SiO2键合、离子注入、等离子刻蚀、原子层淀积及热氧化层生长等工艺方法制备器件，其制备工艺兼容标准CMOS工艺。在相同芯片面积下，本发明器件的电流密度提升至传统LDMOS的两倍以上；同时下层二氧化硅的设计，易于实现器件之间的完全隔离，提高器件的高温稳定性与抗辐照能力。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20250523

✅ 授权

20250425

?? 实质审查的生效：

20250408

📄 公开

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