一种具有组分渐变的背势垒结构的GaNHEMT器件

著 录 项 目：

应用场景：高功率密度应用（如新能源汽车、工业电机驱动）；高频高效电力转换场景

摘     要：本实用新型属于半导体功率器件制造领域，具体为一种具有组分渐变的背势垒结构的GaNHEMT器件，包括SiC衬底层，SiC衬底层的上方连接有GaN缓冲层，GaN缓冲层上方连接有第一AlGaN背势垒层，第一AlGaN背势垒层的上方连接有GaN沟道层。本实用新型通过引入组分渐变的背势垒层，有效地增强沟道中的电子约束，抑制器件短沟道效应，改善器件的直流特性，进而提高GaN基HEMT器件的功率特性。面对背势垒结构带来的界面散射问题，渐变组分背势垒结构相较于固定组分背势垒结构能减小界面散射与寄生参数，减少了对GaN主沟道的影响，提升了器件小信号与大信号特性。

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期

  法律信息

  备注

• 申请号

  专利名称

  发布日期