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Pocket结构的Si/Ge异质结围栅隧穿场效应晶体管及其制备方法

Name: Pocket结构的Si/Ge异质结围栅隧穿场效应晶体管及其制备方法
Brand: 南京信息工程大学
SKU: 2022110184171
Availability: InStock

📄 申请号：CN202211018417.1 📄 发布日：2026/10/12

著录项目信息

申请日

2022-08-24

公开号

CN115360232B

公开日

2025-09-05

申请人

南京信息工程大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10D62_17

IPC 分类号

H10D62_17 , H10D62_10 , H10D64_27 , H10D30_80 , H10D30_01 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

集成电路, 低功耗电子器件, 逻辑电路, 半导体芯片

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摘要

本发明公开了一种Pocket结构的Si/Ge异质结围栅隧穿场效应晶体管及其制备方法，晶体管包括半导体Si衬底，半导体Si衬底上设有P型重掺杂半导体Ge的源区、N型重掺杂半导体Si的漏区和设于源区与漏区之间的STI氧化层；源区和漏区之间设有N型轻掺杂半导体Si的沟道区域和N型重掺杂半导体Si的Pocket区域，源区侧部设有嵌入到Pocket区域的半导体Ge凸起，嵌入的凸起形成Ge/Si异质结结构；沟道区域和Pocket区域之间设有异质栅电极，异质栅电极的侧部设有侧墙区，沟道区域和Pocket区域的表面设有栅介质层。本发明晶体管具有更高的开态电流、更陡峭的亚阈值摆幅斜率、更强的栅控能力、优秀的射频特性，同时能够抑制双极性电流，改善隧穿场效应晶体管亚阈值特性。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN115360232B

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：5 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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