一种具有倾斜场板结构的GaN基HEMT器件

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应用场景：5G通信基站功率放大；新能源汽车车载充电系统；工业电源管理模块；高频高功率密度场景下的电能转换

摘     要：本实用新型属于半导体功率器件制造领域，具体为一种具有倾斜场板结构的GaN基HEMT器件，包括衬底层，所述衬底层的上方连接有缓冲层，所述缓冲层的上方连接有AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层的上方连接有GaN帽层，所述GaN帽层的左右两侧相对连接有源极与漏极，所述GaN帽层的顶部连接有SiN钝化，且所述GaN帽层顶部连接有栅极，栅极与GaN帽层之间形成肖特基接触；所述栅极引入有场板。本实用新型通过引入场板结构，分散了栅极边缘的电场线，栅极边缘的电场强度也得到有效降低，使得耗尽层中的电场分布更加均匀，从而减少了电子隧穿到表面陷阱的可能性，进一步阻碍了虚栅效应的形成，有效减少了器件的电流崩塌现象。

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

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  发布日期